List of Publications
　　　

back to top page

2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997
1996
1995



2011

　　　Journal Papers

Size Reduction and Phosphorus Doping of Silicon Nanocrystals Prepared by a Very High Frequency Plasma Deposition System Y. Nakamine, N. Inaba, T. Kodera, K. Uchida, R. N. Pereira, A. R. Stegner, M. S. Brandt, M.? Stutzmann, and S. Oda Japanese Journal of Applied Physics, February 2011 vol. 50, pp.025002
Experimental study on subband structures and hole transport in (110) Si p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors under high magnetic field T. Takahashi, T. Kodera, S. Oda and K. Uchida Journal of Applied Physics, February 2011 vol.109, pp.034505
Growth of Ge-Si nanowires heterostructure via chemical vapour deposition C. B. Li, K. Usami, H. Mizuta, and S. Oda Thin Solid Films, April 2011 vol. 519 4174-4176
Simulation study of charge modulation in coupled quantum dots in silicon T. Kambara, T. Kodera, T. Takahashi, G. Yamahata, K. Uchida, S. Oda Japanese Journal of Applied Physics, April 2011 vol .50 04DJ05 (4 pages)
Demonstration of spin valve effects in Silicon nanowires Jean L. Tarun, Shaoyun Huang, Y. Fukuma, H. Idzuchi, Y. Otani, N. Fukata, K. Ishibashi and S. Oda Journal of Applied Physics, April 2011 vol .109 07C508
Detection of variable tunneling rates in silicon quantum dots A. Rossi, T. Ferrus,W. Lin, T. Kodera, D. A. Williams, and S. Oda Applied Physics Letters, April 2011 98 133506 (3 pages)
Study on Device Parameters of Carbon Nanotube Field Electron Transistors to Realize Steep Subthreshold Slope of Less than 60 mV/Decade Berrin Pinar Algul, Tetsuo Kodera, Shunri Oda, and Ken Uchida Japanese Journal of Applied Physics, April 2011 50 04DN01 (4 pages)
Numerical Simulation Study of Electrostatically Defined Silicon Double Quantum Dot Device Muhammad Amin Sulthoni, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, and Shunri Oda Journal of Applied Physics, August 2011 110 054511 (4 pages)
Electron mobility enhancement in nanoscale silicon-on-insulator diffusion layers with high doping concentration of greater than 1×10^18 cm3 and silicon-on-insulator thickness of less than 10 nm Naotoshi Kadotani,　Tsunaki Takahashi, Teruyuki Ohashi, Shunri Oda, and Ken Uchida Journal of Applied Physics, August 2011 110 034502 (7 pages)
Tip-enhanced Raman mapping of a single Ge nanowire Y. Ogawa, Y. Yuasa, F. Minami, and S. Oda Applied Physics Letters, August 2011 99 053112 (3 pages)
Experimental Study on Electron Mobility in Accumulation-Mode Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Naotoshi Kadotani, Teruyuki Ohashi, Tsunaki Takahashi, Shunri Oda, and Ken Uchida Japanese Journal of Applied Physics, September 2011 50 094101 (4 pages)
Growth of Narrow and Straight Germanium Nanowires by Vapour-Liquid-Solid Chemical-Vapour-Deposition Marolop Simanullang, Koichi Usami, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, and Shunri Oda Japanese Journal of Applied Physics, October 2011 50 (10) 105002 (6 pages)
Germanium Nanowires with 3-nm-Diameter Prepared by Low Temperature Vapour-Liquid-Solid Chemical Vapour Deposition Marolop Simanullang, Koichi Usami, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, and Shunri Oda Journal of Nanoscience and Nanotechnology, September 2011 11, 8163-8168 (6 pages)
Removal of Surface Oxide Layer from Silicon Nanocrystals by Hydrogen Fluoride Vapor Etching
 Yoshifumi Nakamine, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, and Shunri Oda Japanese Journal of Applied Physics, November 2011 50, 115002 (4 pages)


　　　International Conferences

Laser Annealing of Silicon Nanocrystals Thin-films Prepared by VHF Plasma Deposition System Y. Nakamine, Michiel van der Zwan, Johan van der Cingel, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, Ryoichi Ishihara and Shunri Oda Materials Research Society April 2011 San Francisco
Constructing Templates for One-dimensional Nanostructure Uusing DNA Origami Ian Robertson, Testuo Kodera, Yasuko Yanagida, Ken Uchida and Shunri Oda Materials Research Society April 2011 San Francisco
Evaluation of Electrical and Optical Property and High-Density Assembly of Nano-Crystalline Silicon Dot Array for Device Application Yoshifumi Nakamine, Ken Someno, Hiroki Nikaido, Masahiro Kouge, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, Mutsuko Hatano, and Shunri Oda 7th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7) May 2011 Albany
Synthesis of small-diameter Ge NW at low temperature for electron device application Marolop Simanullang, Koichi Usami, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, Shunri Oda 7th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7) May 2011 Albany
Observation of Pauli-Spin Blockade and Single-Electron Regime in Silicon Coupled Quantum Dots
 Tetsuo Kodera, Kousuke Horibe, Tomohiro Kambara, Gento Yamahata, Ken Uchida, Yasuhiko Arakawa, Shunri Oda
 7th International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7) May 2011 Albany
Magnetoresistance of Cobalt-Contacted Silicon Nanowire Jean Tarun, Shaoyun Huang, Yasuhiro Fukuma, Hiroshi Idzuchi, YoshiChika Otani, Naoki Fukata, Koji Ishibashi, and Shunri Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2011 Kyoto
Charge Detection in Silicon Quantum Dots Coupled in Parallel T. Kodera, K. Horibe, W. Lin, T. Kambara, T. Ferrus, A. Rossi, K. Uchida, D. A. Williams, Y. Arakawa, and S. Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2011 Kyoto
Electrical Property of Nano-Crystalline Silicon Thin-Films Transistors Prepared by Very High Frequency Plasma Deposition System Yoshifumi Nakamine, Mohammad R. T. Mofrad, Michiel van der Zwan, Johan van der Cingel, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, Mutsuko Hatano, Ryoichi Ishihara, and Shunri Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2011 Kyoto
Simulation Study of Electrostatically Defined Silicon Double Quantum Dot Device Muhammad Amin Sulthoni, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, and Shunri Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2011 Kyoto
Pd Schottky gate operation voltage of Si/SiGe quantum-point-contact Y. Fukuoka, T. Kodera, T. Otsuka, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, K. Sawano, K Uchida, Y. Shiraki, S. Tarucha, and S. Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2011 Kyoto
An apparent metal-insulator transition in a phosphorous doped silicon single electron transistor T. Ferrus, A. Rossi, W. Lin, D. A. Williams, T. Kodera, and S. Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2011 Kyoto
NeoSilicon Based Nano-electromechanical Devices S. Oda 18th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems June 2011 Gliwice, Poland invited
Triangularly-positioned silicon triple quantum dots Tetsuo Kodera, Kousuke Horibe, H. Hayashi, Tomohiro Kambara, Ken Uchida, Yasuhiko Arakawa, Shunri Oda the 15th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS 15), Tu-P-90, July 2011, Florida, USA
Observation of single-electron regime in a silicon quantum dot by a single-electron transistor Kousuke Horibe, Tetsuo Kodera, Tomohiro Kambara, Ken Uchida, Shunri Oda the 19th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS 19) Tu-P-43 July 2011 Florida USA
Photoluminescence of Nanocrystalline ICANS-24Silicon Quantum Dots Prepared by VHF Plasma Cell Ken Someno, Kouichi Usami, Tetsuo Kodera, Mutsuko Hatano, Shunri Oda 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 24) August 2011 Nara
Electrical Property of Nano-Crystalline Silicon Thin-Films Prepared by Very High Frequency Plasma Deposition System Yoshifumi Nakamine, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, Mutsuko Hatano, and Shunri Oda 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 24) August 2011 Nara
Spin Effects and Charge Sensing in Silicon Single Electron T. Kodera BIT’s 1st Annual World Congress of Nano-S&T, October 2011 Dalian China Invited
A Multi-purpose Electrostatically Defined Silicon Quantum Dot Structure Muhammad Amin Sulthoni, Tetsuo Kodera, Yukio Kawano, and Shunri Oda 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), P-9-7 September 2011 Nagoya Japan
Observation of few-electron regime and suppression of inter-dot tunneling in silicon quantum dots T. Kodera, K. Horibe, T. Kambara, G. Yamahata, K. Uchida, Y. Arakawa, S. Oda the International Conference on Quantum Information Processing and Communication 2011 (QIPC 2011), CS-8, September 2011 Zurich Switzerland
Charge sensing in silicon quantum dots for quantum computation A. Rossi, T. Ferrus, T. Kodera, S. Oda, D. A. Williams the International Conference on Quantum Information Processing and Communication 2011 (QIPC 2011, September 2011 Zurich Switzerland
GERMANIUM NANOWIRES WITH 3-NM-DIAMETER PREPARED BY LOW TEMPERATURE (260OC) VAPOUR-LIQUID-SOLID CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION M. Simanullang, K. Usami, T. Kodera, K. Uchida, S. Oda EuroCVD 18, September 2011 Kinsale, Irelamd
Influence of Backgate Voltage on Spin Accumulation in a Silicon Nanowire Spin Valve J. Tarun, S. Huang, Y. Fukuma, H. Idzuchi, Y. Otani, T. Kodera, N. Fukata, K. Ishibashi and S. Oda MNC 2011, October 2011 Kyoto
Microscopic Study of the Germanium Nanowires grown at Low-temperatures by Au-catalysed Chemical Vapour Deposition M. Simanullang, K. Usami, T. Kodera, K. Uchida and S. Oda MNC 2011, October 2011 Kyoto
NeoSilicon Based Nano-electromechanical Information Devices S. Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Utilizing 2D figures of DNA polymer for self-assembly applications on silicon platform Ian C. Robertson, Tetsuo Kodera, Yasuko Yanagida, Ken Uchida, and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
Transport Simulation of an Electrostatically Defined Silicon Double Quantum Dot Device Muhammad Amin Sulthoni, Tetsuo Kodera, Yukio Kawano, and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Evaluation of Electrical and Optical Property and High-Density Assembly of Nano-Crystalline Silicon Dot Array for Device Application Yoshifumi Nakamine, Ken Someno, Hiroki Nikaido, Masahiro Kouge, Tetsuo Kodera, Yukio Kawano, Ken Uchida, Mutsuko Hatano, and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Low-Temperature Magnetoresistance Studies of Silicon Nanowires with Permalloy Leads Jean Tarun, Shaoyun Huang, Yasuhiro Fukuma, Hiroshi Idzuchi, Yoshichika Otani, Tetsuo Kodera, Naoki Fukata, Koji Ishibashi, and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Charge detection techniques in Si double quantum dots Tomohiro Kambara, Tetsuo Kodera, Thierry Ferrus, Alessandro Rossi, Kosuke Horibe, Yasuhiko Arakawa, David Williams, and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Synthesis of small-diameter Ge NW at low temperature for electron device application Marolop Simanullang, Koichi Usami, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Photoluminescence and Raman studies of Ge nanowires grown on Si (100) and (111) substrates Ayse Seyhan, Yoshi Ogawa, Maralop Simanullang and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Photoluminescence of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots prepared by VHF Plasma Ken Someno, Kouichi Usami, Tetsuo Kodera, Yukio Kawano, Mutsuko Hatano, and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Electron transport in a single silicon nanocrystal between nanogap electrodes Tomotaka Sawada, Testuo Kodera, Yuki Kawano, Mustuko Hatano, and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Pd Schottky gate operation voltage of Si/SiGe quantum-point-contact Y. Fukuoka, T. Kodera, K. Takeda, T. Obata, K. Yoshida, T. Otsuka, K. Sawano, K Uchida, Y. Shiraki, S. Tarucha, and S. Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Fabrication of few-electron silicon quantum dot devices based on an SOI substrate with a top gate cintact K. Horibe, T. Kodera, T. Kambara, K. Uchida, S. Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Development of silicon quantum dot devices toward spin quantum bits T. Kodera, K. Horibe, W. Lin, T. Kambara, T. Ferrus, A. Rossi, K. Uchida, D. A. Williams, Y. Arakawa, and S. Oda G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Direct Observation of Subband Structures in (110) Si pMOSFETs under High Magnetic Field and Its Impact on Hole Transport Tsunaki Takahashi, Tetsuo Kodera, Shunri Oda, and Ken Uchida G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited
Mechanisms of electron mobility enhancement in junctionless SOI MOSFETs Teruyuki Ohashi, Naotoshi Kadotani, Tsunaki Takahashi, Shunri Oda and Ken Uchida G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists
, October 2011 Tokyo invited


　　　Domestic Conferences

高不純物濃度のETSOI(Extremely-Thin SOI) 拡散層における移動度とSOI 膜厚および不純物濃度の関係 角谷直哉，高橋綱己，大橋輝之，小寺哲夫，小田俊理，内田建 第58回応用物理学関係連合講演会, March 2011 厚木市
チャージセンサによるシリコン量子ドットの少数電子状態観測 堀部浩介，小寺哲夫，蒲原知宏，内田建，小田俊理 第58回応用物理学関係連合講演会, March 2011 厚木市
シリコン単電子トランジスタを電荷センサとした電子数変化の検出 林文城，小寺哲夫，Thierry Ferrus，Alessandro Rossi，David Williams，内田建，小田俊理 第58回応用物理学関係連合講演会, March 2011 厚木市
電子スピン量子ビットに向けた少数電子シリコン量子ドットの実現 小寺哲夫，堀部浩介，蒲原知宏，山端元音，内田　建，荒川泰彦，小田俊理 第58回応用物理学関係連合講演会, March 2011 厚木市 招待講演
Si/SiGe 量子ドット作製に向けたPd トップゲート動作点の低電圧化 福岡佑二，小寺哲夫，大塚朋廣，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田建，白木靖寛，樽茶清悟，小田俊理 第58回応用物理学関係連合講演会, March 2011 厚木市
VHF プラズマセル法によるナノ結晶シリコンのフォトルミネッセンス特性 染野健，宇佐美浩一，小寺哲夫，波多野睦子，小田俊理 第58回応用物理学関係連合講演会, March 2011 厚木市
VHF プラズマにより作製されたシリコンナノ結晶のレーザアニーリング 中峯嘉文，Michiel Van Der Zwan，Johan Van Der Cingel，小寺哲夫，内田建，石原良一，小田俊理 第58回応用物理学関係連合講演会, March 2011 厚木市
トップダウンとボトムアッププロセスを融合したシリコン量子構造デバイス 小田俊理 第58回応用物理学関係連合講演会, March 2011 厚木市 招待講演

CNTFETsにおけるトンネル・リーク電流の抑制に関する研究

ベッリン ピナー アルグル，小寺哲夫，小田俊理，内田 建

第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市
VHF プラズマにより作製したナノ結晶シリコンの光学的特性 染野　健，宇佐美浩一，小寺哲夫，河野行雄，波多野睦子，小田俊理 第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市
シリコンナノワイヤ磁気抵抗効果における界面の影響 Jean Tarun，Shaoyun Huang，福間康裕，井土　宏，大谷義近，深田直樹，石橋幸治，小田俊理 第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市
ナノギャップ電極とナノ結晶シリコン量子ドットの集積配列 澤田知孝，小寺哲夫，河野行雄，波多野睦子，小田俊理 第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市
シリコン量子ドットと単電子トランジスタ電荷センサーの静電結合評価 堀部浩介，小寺哲夫，蒲原知宏，内田　建，小田俊理 第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市

Si/SiGe量子ドット構造のシミュレーションと作製

福岡佑二，小寺哲夫，大塚朋廣，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田　建，白木靖寛，樽茶清悟，小田俊理 第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市
低温・強磁場環境を利用した極薄膜SOI中の変形ポテンシャルの評価 大橋輝之，高橋綱己，小寺哲夫，小田俊理，内田　建 第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市
並列結合したシリコン量子ドットにおける電荷検出実験 小寺哲夫，堀部浩介，林　文城，蒲原知宏，Thierry Ferrus，Alessandro Rossi，内田　建，David Williams，荒川泰彦，小田俊理 第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市
レーザアニーリングによるシリコンナノ結晶薄膜の電気特性への影響 中峯嘉文，Mohammad Mofrad，Michiel Van Der Zwan，Johan Van Der Cingel，小寺哲夫，内田　建，石原良一，小田俊理 第72回応用物理学会学術講演会 August 2011 山形市
シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性 小寺哲夫，堀部浩介，蒲原知宏，山端元音，内田建，荒川泰彦，小田俊理 日本物理学会2011年秋季大会 、23pTM-12、September 2011 富山市


　　　Others

著書
メモリデバイス 小田俊理 電子情報通信学会「知識ベース」（オーム社）
Si量子ドットを用いた単電子トランジスタの研究 小田俊理 量子ドットエレクトロニクスの最前線（エヌ・ティー・エス）
トップゲートとサイドゲートによるシリコン結合量子ドットの静電結合制御 小寺哲夫,小田俊理 量子ドットエレクトロニクスの最前線 (エヌ・ティー・エス)


2010

　　　Journal Papers

Size effect on hopping conduction in silicon nanocrystals X. Zhou, M. A. Rafiq, H. Mizuta, and S. Oda AIP Conf. Proc January 2010 199 321-322
Current fluctuations in three-dimensionally stacked Si nanorystals thin films
 Xin Zhou, Ken Uchida, and Shunri Oda
 Applied Physics Letters March 2010 96 092112 (3 pages)
Single Hole Charging at Room Temperature of Ge Quantum Dots Grown on Si(001) by Molecular Beam Epitaxy R. Singha, S. Das, Achintya Dhar, Samir K. Lahiri, Samit K. Ray, Akhmadi Surawijaya, and Shunri Oda Nanoscience and
Nanotechnology Letters 1 (2) 2010 in press
Design of New Logic Architectures utilizing Optimized Suspended-Gate Single-Electron Transistors B. Pruvost，K. Uchida, H. Mizuta，S. Oda IEEE Transactions on Nanotechnology July 2010 vol. 9 (4) pp.504 ? 512
Suspended quantum dot fabrication on a heavily-doped silicon nanowire by suppressing unintentional quantum dot formation J. Ogi, M. A. Ghiass, T. Kodera, Y. Tsuchiya, K. Uchida, S. Oda, and H. Mizuta Japanese Journal of Applied Physics April 2010 49 pp. 044001 (5 pages)
Experimental observation of enhanced electron-phonon interaction in suspended Si double quantum dots J. Ogi, T. Ferrus, T. Kodera, Y. Tsuchiya, K. Uchida, D. A. Williams, S. Oda,
and H. Mizuta		 Japanese Journal of Applied Physics April 2010 49 pp. 045203 (5 pages)
Scaling Analysis of Nanoelectromechanical Memory Devices T. Nagami, Y. Tsuchiya, K. Uchida, H. Mizuta, and S. Oda Japanese Journal of Applied Physics April 2010 49 pp. 044304 (5 pages)
Fabrication of Nanosilicon Ink and Two-Dimensional Array of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots T. Ishikawa, H. Nikaido, K. Usami, K. Uchida, and S. Oda Japanese Journal of Applied Physics December 2010 49 pp.125002 (4 pages)
シリコンナノ結晶のCVD成長と新機能 小田俊理 日本結晶成長学会誌 2010 Vol.37 (4)


　　　International Conferences

Inelastic single-electron tunneling assisted by confined phonons observed for suspended silicon double quantum dots J. Ogi, T. Ferrus, T. Kodera, Y. Tsuchiya, K. Uchida, D. A. Williams, S. Oda, and H. Mizuta IOP Quantum Dot Meeting January 2010 Cambridge
Hybrid Silicon Nanoelectromechanical Devices: Physics and Applications H. Mizuta, Y. Tsuchiya and S. Oda UK-Japan Workshop on Novel Phenomena and Technologies in Semiconductor Nanostructures January 2010 Tokyo
VHF Plasma process for size-controlled Si nanodot fabrication S. Oda 2010 International Symposium on Atom -scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for
'More-than-Moore' & 'Beyond CMOS' Era March 2010 Southampton invited
Pauli spin blockade in a lithographically-defined silicon double quantum dot G. Yamahata, T. Kambara, K. Uchida, C. M. Marcus, S. Oda ,T. Kodera International Symposium on Quantum Nanostructures and Spin-related Phenomena March 2010 Tokyo
Magnetic field dependence of resonant tunneling between an InAs quantum dot and an InGaAs quantum dot T. Kodera, K. Ono, N. Kumagai, T. Nakaoka, S. Tarucha, S. Oda, Y. Arakawa International Symposium on Quantum Nanostructures and Spin-related Phenomena March 2010 Tokyo
Artificial membrane constructed by one-dimensional nanostructure using DNA origami Ian C. Robertson, K. Uchida, and S. Oda Materials Research Society April 2010 San Francisco
Nanoscale Selective Silicon Nanowires Surface Functionalization for Sensing Applications S. Armini, M. Carli, J. Snauwaert, V. Cherman, I. De Wolf, V. Simons, A. Maestre Caro, J. Moonens, P. Neutens, K. Arstila, J. Ogi, S. Oda, Y. Tsuchiya and H. Mizuta Materials Research Society April 2010 San Francisco
Resonant tunnelling between a self-assembled InAs quantum dot and an electrically-defined InGaAs quantum dot T. Kodera, K. Ono, N. Kumagai, T. Nakaoka, S. Tarucha, S. Oda, and Y. Arakawa the 6th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2010), P. 58, Nottingham UK, (April 2010)
Spin-related tunneling in lithographically-defined silicon quantum dots
 T. Kodera, G. Yamahata, T. Kambara, K. Horibe, K. Uchida, C. M. Marcus and S. Oda
 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2010 Honolulu
Single-electron energy dissipation processes mediated by slab mode phonons observed for suspended silicon double quantum dots
 J. Ogi, T. Ferrus, T. Kodera, Y. Tsuchiya, K. Uchida, D. A. Williams, S. Oda and H. Mizuta
 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2010 Honolulu
Artificial Membrane Constructed by one-dimensional Nanostructure using DNA Origami
 Ian C. Robertson, Ken Uchida and Shunri Oda 7th International Conference on NN10 July 2010 Halkidiki, Greece (Best Poster Award)
Realization of lithographically-defined silicon quantum dots without unintentional localized potentials
 Tetsuo Kodera, Gento Yamahata, Tomohiro Kambara, Kousuke Horibe, Thierry Ferrus, David Williams, Yasuhiko Arakawa, and Shunri Oda 30th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-30), TuB 2-5, Seoul, Korea, (July 2010)
Magnetic field dependence of a leakage current in Pauli-spin blockade regime of silicon double quantum dots
 T. Kodera, G. Yamahata, T. Kambara, K. Uchida, C. M. Marcus, and S. Oda School and conference on Spin-based quantum information processing, A48, Konstanz, Germany, (August 2010)
Silicon Quantum Dot Devices S. Oda Sixteenth School on Condensed Matter Physics August 2010 Varna invited
Simulation study of charge modulation in coupled quantum dots in silicon Tomohiro Kambara, Tetsuo Kodera, Gento Yamahata, Ken Uchida, Shunri Oda Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts September 2010 Tokyo
Preparation of SOI-based Double Quantum Dots Structure Defined by Geometry and Electrostatically Muhammad Amin Sulthoni, Tetsuo Kodera, Ken Uchida, and Shunri Oda Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts September 2010 Tokyo
Study on Device Parameters of Carbon Nanotube FETs to Realize Steep Subthreshold Slope of less than 60 mV/decade Berrin Pinar Algul, Tetsuo Kodera, Shunri Oda, and Ken Uchida Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts September 2010 Tokyo
Scaled silicon NEM hybrid devices S. Oda Nano-Electro-Mechanical Devices for Integrated Sensing and Switching; Satellite workshop to ESSDERC/ESSCIRC 2010, September 2010 Seville invited
Silicon Quantum Dots for Spin-Based Quantum Information Processing Tetsuo Kodera, Tomohiro Kambara, Kousuke Horibe, Gento Yamahata, Ken Uchida, and Shunri Oda 2nd Japanese-Russian young scientists conference on nano-materials and nano-technology, Tokyo, Japan, (September 2010)
NeoSilicon based nanoelectromechanical information devices S. Oda IEEE EDS Minicolloquim on Physics of Electron Devices in Engineering Education, October 2010 Pokhara invited
Spin valve effects in Silicon nanowires

Jean L. Tarun, Shaoyun Huang, Y. Fukuma, H. Idzuchi, Y. Otani, Naoki Fukata, Koji Ishibashi and Shunri Oda

 55th Magnetism and Magnetic Materials Conference (MMM), November 2010 Atlanta
Distinct Spin Valve Effects in Silicon Nanowires Measured by Non-local Electrode Configuration Jean L. Tarun, Shaoyun Huang, Y. Fukuma, H. Idzuchi, Y. Otani, Naoki Fukata, Koji Ishibashi and Shunri Oda International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2010), November 2010 Kitakyushu
Anomalous Electron Mobility in Extremely-Thin SOI (ETSOI) Diffusion Layers with SOI Thickness of Less Than 10 nm and High Doping Concentration of Greater Than 1×1018cm-3 N. Kadotani, T. Takahashi, K. Chen, T. Kodera, S. Oda and K. Uchida IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), December 2010 San Francisco


　　　Domestic Conferences

シリコン宙づり構造内の結合二重量子ドットの電子フォノン相互作用小木 純，Thierry Ferrus，小寺哲夫，土屋良重，内田 建，David Williams，水田 博，小田俊理 第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市
ナノ結晶シリコン量子ドットデバイス小田俊理第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市
Utilizing electoosmotic affects in aligning DNA functionalized nanowires after being anchored onto a pattern surfaceイアン ロバートソン，内田　建，小田俊理第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市
エレクトロメカニカルシミュレーションによるNEMSメモリのスケーリング特性永見　佑，土屋良重，水田　博，内田　建，小田俊理第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市
ダブルトップゲートを有するシリコン量子ドットのシミュレーションと作製蒲原知宏，小寺哲夫，山端元音，内田　建，小田俊理第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市
Simulation of silicon double quantum dots device fabricated by combining lithographical and electrostatical approachesMuhammad Amin Sulthoni，小寺哲夫，内田　建，小田俊理
第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市
VHFプラズマパワーの変化によるシリコンナノ結晶の縮小化 中峯嘉文，小寺哲夫，内田　建，小田俊理第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市
強磁場印加による(110) pMOSFETサブバンド構造の直接的観測 高橋綱己，山端元音，小木　純，小寺哲夫，小田俊理，内田建
第57回応用物理学関係連合講演会 March 2010 平塚市
Silicon Nanowire-Based Lateral Spin Valve Device Jean Tarun，Shaoyun Huang，福間康裕，井土　宏，大谷義近，深田直樹，石橋幸治，小田俊理
 第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
Small-diameter Ge nanowires grown at 280°C by VLS−CVD M. Simanullang, 宇佐美浩一，小寺哲夫，内田建，小田俊理
第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
pn接合の無い極薄膜SOIトランジスタの作製と電気特性評価 角谷直哉，高橋綱己，小寺哲夫，小田俊理，内田建
第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
InPに格子整合したIn0.53Ga0.47Asバンド構造の一軸歪み依存性 引田和宏，小寺哲夫，小田俊理内田 建
第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
Pr系酸化膜を用いたヘテロ積層構造トンネル膜の電気特性シミュレーションと作製及び評価 小林大助，栗原智之，小寺哲夫，内田建，野平博司，小田俊理
第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
サイドゲートとトップゲートを用いたシリコン二重結合量子ドット形成シミュレーション 蒲原知宏，小寺哲夫，山端元音，内田建，小田俊理
第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
Si/SiGe系2DEGのPdショットゲート制御による結合量子ドットの作製 福岡佑二，小寺哲夫，大塚朋廣，武田健太，小幡利顕，吉田勝治，澤野憲太郎，内田建，白木靖寛，樽茶清悟，小田俊理
第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
シリコン結合量子ドットにおけるスピン効果の観測 小寺哲夫，山端元音，蒲原知宏，内田建，小田俊理
 第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市 （応用物理学会講演奨励賞受賞）
凹凸基板を用いたディップコーティング法によるナノ結晶シリコンの集積化技術 高下雅央，石川哲也，宇佐美浩一，小寺哲夫，内田建，小田俊理
第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
CNTトランジスタにおけるバンド間トンネルを利用したS係数60 mV/dec未満を実現するデバイスパラメータの研究 ベッリン　ピナー アルグル，小寺哲夫，小田俊理，内田建
第71回応用物理学会学術講演会, September 2010 長崎市
PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価 武田健太，小幡利顕，福岡佑二，大塚朋廣，小寺哲夫，吉田勝治，澤野憲太郎，小田俊理，白木靖寛，樽茶清悟
日本物理学会秋季大会 September 2010 大阪
Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure 小幡利顕，申潤錫，ロランドブルナ，武田健太，福岡佑二，大塚朋廣，小寺哲夫，吉田勝治，澤野憲太郎，小田俊理，白木靖寛，樽茶清悟
日本物理学会秋季大会 September 2010 大阪
少数電子シリコン量子ドットの作製とスピン現象の観測 小寺哲夫，堀部浩介, 蒲原知宏, 山端元音, T. Ferrus, D. Williams, 荒川泰彦, 小田俊理 公開シンポジウム 「ナノ量子情報エレクトロニクスの進展」 December 2010 東京大学, 本郷
電子スピン量子ビットに向けたシリコン量子ドットの作製と評価 小寺哲夫
 イノベーション研究推進体「量子情報処理デバイス」研究会 December 2010 東京工業大学、目黒


　　　Others

著書
Silicon Nanocrystal Flash Memory S. Oda and S-Y Huang
 Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications, Edited by L. Pavesi and R Turan, Wiley VCH, Weinheim 395-444
プラズマ技術によるナノシリコンドットの作製 小田俊理 ナノシリコンの最新技術と応用展開（越田信義監修、シーエムシー出版 .205-213
Photovoltaics and Optoelectronics from Nanoparticles M. Winterer, W. Gladfelter, D. Gamelin, S. Oda Materials Research Society Symposium Proceedings, ISBN 978-1-60511-237-4 1260 159 pages


2009

　　　Journal Papers

Position-Controllable Ge Nanowires Growth on Patterned Au Catalyst Substrate C. B. Li, K. Usami, G. Yamahata, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, S. Oda Applied Physics Express May 2009 2 (1) 15004
Design optimization of NEMS switches for suspended-gate single-electron transistor applications B. Pruvost，K. Uchida, H. Mizuta，S. Oda IEEE Transactions on Nanotechnology September 2009 8 (2) 174-184
Spontaneous Emission Control of Silicon Nanocrystals by Silicon Three-Dimensional Photonic Crystal Structure Fabricated by Self-Aligned Two-Directional Electrochemical Etching Method D. Hippo, Y. Urakawa, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida and S. Oda Materials Chemistry and Physics July 2009 116 107-111
Electron transport through silicon serial triple quantum dots G. Yamahata, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, K. Uchida, S. Oda Solid State Electronics in press April 2009 53 779-785
Single Hole Charging at Room Temperature of Ge Quantum Dots Grown on Si(001) by Molecular Beam Epitaxy R. Singha, S. Das, Achintya Dhar, Samir K. Lahiri, Samit K. Ray, Akhmadi Surawijaya, and Shunri Oda Nanoscience and Nanotechnology Letters in press
Carrier transport by field enhanced thermal detrapping in Si nanocrystals thin films X. Zhou, K. Uchida, H. Mizuta, and S. Oda Journal of Applied Physics June 2009 105 124518 (5 pages)
Electron transport in surface oxidized Si nanocrystal ensembles with thin film transistor structure X. Zhou, K. Uchida, H. Mizuta, and S. Oda Journal of Applied Physics August 2009 044511 (6 pages)
Vapor-solid-solid radial growth of Ge nanowires C. B. Li, K. Usami, H. Mizuta, S. Oda Journal of Applied Physics August 2009 106 046102 (3 pages)
Control of Inter-dot Electrostatic Coupling by a Side Gate in Silicon Double Quantum Dot Operating at 4.5 K G. Yamahata, T. Kodera, H. Mizuta, K. Uchida, S. Oda Applied Physics Express September 2009 2 (9) 095002 (3 pages)
Electro-Mechanical Simulation of Switching Characteristics for Nanoelectromechanical Memory T. Nagami, Y. Tsuchiya, S. Saito, T. Arai, T. Shimada, H. Mizuta and S. Oda Japanese Journal of Applied Physics November 2009 48 114502 (5 pages)
MULTI-SCALE SIMULATION OF HYBRID SILICON NANO-ELECTROMECHANICAL (NEM) INFORMATION SYSTEMS Hiroshi Mizuta, Mario A.G. Ramirez, Yoshishige Tsuchiya, Tasuku Nagami, Shun-ichiro Sawai, Shunri Oda, Masakuni Okamoto

Journal of Automation, Mobile Robotics & Intelligent Systems November 2009 3 58-61


　　　International Conferences

Parameter Randomness Analysis of Multiple Tunnel Junctions Aditi Goyal, Muhammad A Rafiq, Ken Uchida, Shunri Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2009 Kyoto
Study of single-electron transport via suspended double silicon quantum dots J. Ogi, T. Ferrus, Y. Tsuchiya, K. Uchida, D. A. Williams, S. Oda, and H. Mizuta IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2009 Kyoto
Engineering of Heterostructured Tunnel Barrier for Non-Volatile Memory Applications: Potential of Pr-based Heterostructured Barrier as a Tunneling Oxide Tomoyuki Kurihara, Yohei Nagahama, Daisuke Kobayashi, Hiroki Niikura, Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, Hiroshi Nohira, Ken Uchida, and Shunri Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2009 Kyoto
Lateral conduction of Si nanorystals by thin film transistor structures Xin Zhou, Ken Uchida, Hiroshi Mizuta, and Shunri Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2009 Kyoto
Current oscillations observed for sparse Si nanorystal thin films Xin Zhou, Ken Uchida, Hiroshi Mizuta, and Shunri Oda IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 2009 Kyoto
NeoSilicon Materials S. Oda Materials Research Society April 2009 San Francisco invited
Fabrication of nano Si ink and two-dimensionally assembled Si nanocrystals T. Ishikawa, H. Nikaido, K. Usami, K. Uchida, S. Oda 35th International Conference on Micro & Nano Engineering September 2009 Ghent
Performance Projections for Nanomechanical Memory S. Oda SRC/NSF/A*STAR Forum on 2020 Semiconductor Memory Strategies: Processes, Devices, and Architectures October 2009 Singapore invited
Silicon quantum dots and related devices S. Oda G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo invited
Electron transport through coupled Si quantum dots toward quantum information devices Gento Yamahata, Tetsuo Kodera, Hiroshi Mizuta, Ken Uchida, and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Suspended quantum dot devices for sensor or quantum bit applications J. Ogi, T. Ferrus, T. Kodera, Y. Tsuchiya, K. Uchida, D. A. Williams, H. Mizuta and S. Oda G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Scaling Analysis of NEMS Memory Devices T. Nagami, Y. Tsuchiya, K. Uchida, H. Mizuta, and S. Oda G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Phosphorous-Doping in Silicon Nanocrystals by using VHF Plasma Y. Nakamine, T. Kodera, K. Uchida and S. Oda G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Design Optimization of MEMS(NEMS) Resonator by 3-D Anisotropic Thermoelastic Modeling Chao Yan, Ken Uchida and Shunri Oda G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Modeling of Band-to-Band Tunneling in MOS Structures Berrin Pinar Algul, Ken Uchida, Shunri Oda
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Transport Properties of Silicon Nanowire with Ferromagnetic Leads Jean L. Tarun, Shaoyun Huang, Ken Uchida, Naoki Fukata, Koji Ishibashi and Shunri Oda
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Artificial Membrane Interfacial Layers via 1D nanostructures for Bio-Sensors Ian C. Robertson, Ken Uchida and Shunri Oda
 G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Preparation and characterization of P-doped Ge nanowires by VLS-CVD Liang HE, Koichi Usami, Ken Uchida and Shunri Oda
 G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Fabrication and characterization of silicon double quantum dots towards spin qubits T. Kodera, G. Yamahata, T. Kambara, T. Ferrus, D. A. Williams, K. Uchida, Y. Arakawa, S. Oda
 G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Carrier transport in ensemble of Si nanocrystals prepared by VHF plasma process Xin Zhou, Ken Uchida and Shunri Oda
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Formation of two-dimensional array of Si nanocrystals using nano Si ink Tetsuya Ishikawa, Hiroki Nikaido, Koichi Usami, Ken Uchida, Shunri Oda
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Thermotherapy for Cancer Using Silicon Nanocrystals D. Hippo, Y. Nakamine, K. Uchida, and S. Oda
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists October 2009 Tokyo
Removal of Surface Oxide Layer from Silicon Nanocrystals by HF Vapor Etching Y. Nakamine, T. Kodera, K. Uchida, and S. Oda International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2009) November 2009 Sapporo
Silicon quantum dots devices
 S. Oda IEEE EDS Minicolloquim on the Past and Future of Integrated Circuits November 2009 Thiruvannamalai invited
Silicon quantum dots devices
 S. Oda IEEE EDS Minicolloquim on the Past and Future of Integrated Circuits November 2009 port Blair invited
Electron-phonon interaction in suspended Si double quantum dots J. Ogi, T. Ferrus, T. Kodera, Y. Tsuchiya, K. Uchida, D. A. Williams, S. Oda,
and H. Mizuta		 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2009) November 2009 Sapporo
Improvements of transport properties in silicon quantum dots T. Kodera, G. Yamahata, T. Kambara, T. Ferrus , D. Williams, S. Oda, Y. Arakawa International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics (ISQNN 2009), ThP-4, pp.76, Tokyo, Japan (November 2009)
Direct Observation of Subband StructureIEDM2009s in (110) pMOSFETs under High Magnetic Field:
Impact of Energy Split Between Bands and Effective Masses on Hole Mobility		 T. Takahashi, G. Yamahata, J. Ogi, T. Kodera, S. Oda and K. Uchida IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) December 2009 Baltimore
Silicon quantum dots devices
 S. Oda International workshop on Physics
of Semiconductor and Devices December 2009 Delhi invited


　　　Domestic Conferences

シリコン量子ドットデバイスの制御性向上に関する検討山端元音，土屋良重，水田　博，内田　建，小田俊理 第56回応用物理学関係連合講演会 March 2009 つくば市 invited
Trap effects on carrier transport in Si nanocrystals thin film transistor Xin Zhou，中峯嘉文，内田　建，小田俊理 第56回応用物理学関係連合講演会 March 2009 つくば市
Siナノブリッジチャネルに埋め込まれた結合二重量子ドット特性観測 小木 純，Thierry Ferrus，土屋良重，内田 建，David Williams，水田 博，小田俊理 第56回応用物理学関係連合講演会 March 2009 つくば市
pn接合部でのトラップを介したトンネリングを考慮したNEMSメモリの
動作特性と微細化の検討		永見　佑，土屋良重，斎藤慎一，新井　唯，嶋田壽一，水田　博，内田　建，小田俊理 第56回応用物理学関係連合講演会 March 2009 つくば市
VHFプラズマにより作製されたSi量子ドットのPドーピング 中峯嘉文，内田　建，小田俊理 第56回応用物理学関係連合講演会 March 2009 つくば市
ラジカル窒化を用いたゲルマニウムナノワイヤデバイスの作製 村木太郎，李 伝波，増渕和典，宇佐美浩一，内田　建，小田俊理 第56回応用物理学関係連合講演会 March 2009 つくば市
Characteristics of current oscillations phenomenon in Si nanorystal thin films Xin Zhou，内田　建，小田俊理 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山
Langmuir-Blodgett法によるナノ結晶シリコン量子ドットの集積配列 二階堂広基，石川哲也，内田　建，小田俊理 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山
レーザ照射によるナノ結晶シリコンの温度上昇の観測 筆宝大平，中峯嘉文，内田　健，小田俊理 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山
MEMS(NEMS) 共振器設計のための体系的最適化法 晏超，内田　建，小田俊理 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山
トップゲートとサイドゲートによるシリコン結合量子ドットの静電結合制御 山端元音，小寺哲夫，水田　博，内田　建，小田俊理 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山
InAs量子ドットとInGaAs量子井戸を内包した縦型ピラー構造の電気伝導特性 小寺哲夫，大野圭司，中岡俊裕，熊谷直人，樽茶清悟，小田俊理，荒川泰彦 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山
シリコンナノテクノロジー：１次元、０次元、その先は？ 小田俊理，内田　建 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山 invited
イントロダクトリートーク：ネオシリコン材料の構造制御と新機能 小田俊理 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山 invited
ナノエレクトロメカニカル構造を有するシリコンナノ機能デバイス 水田　博，土屋良重，小田俊理 第70回応用物理学会学術講演会 September 2009 富山 invited
シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価 小寺哲夫，Thierry Ferrus，山端元音，中岡俊裕，David Williams，小田俊理，荒川泰彦 日本物理学会秋季大会 September 2010 熊本


　　　Others

著書
量子化構造とデバイス
小田俊理
 現代界面コロイド化学の基礎　第３版（日本化学会編、丸善） 215-219


2008

　　　Journal Papers

Nonequilibrium Transport Properties for a Three-site Quantum Wire Model "Yangdong Zheng, H. Mizuta and S. Oda" physica status solidi (c) January 2008 5 (1) 56-60
Theoretical Study of Nonequilibrium Electron Transport and Charge Distribution in a Three-site Quantum Wire "Yangdong Zheng, H. Mizuta and S. Oda" Japanese Journal of Applied Physics January 2008 47 (1A) 371-382
Vapor-Liquid-Solid Growth of Small- and Uniform-Diameter Silicon Nanowires at Low Temperature from Si2H6 "Saeed Akhtar, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, and S. Oda" Applied Physics Express January 2008 1 (1) 014003 (3 pages)
Bottom-up approach to silicon nanoelectronics H. Mizuta and S. Oda Microelectronics Journal February 2008 invited 39 (2) 171-176
Strongly coupled multiple-dot characteristics in dual recess structured silicon channel "M. Manoharan, Y. Kawata, Y. Tsuchiya, S. Oda and H. Mizuta" Journal of Applied Physics February 2008 103 043719 (6 pages)
Room temperature single electron charging in single silicon nanochains "M. A. Rafiq, Z. A. K. Durrani, H. Mizuta, A. Colli, P. Servati, A. C. Ferrari, W. I. Milne, and S. Oda" Journal of Applied Physics March 2008 103 053705 (4 pages)
Voltage-limitation-free analytical single-electron transistor model incorporating the effects of spin-degenerate discrete energy states B. Pruvost，H. Mizuta，S. Oda Journal of Applied Physics March 2008 103 054508 (10 pages)
Stochastic Coulomb blockade in coupled asymmetric silicon dots formed by pattern-dependent oxidation "M. Manoharan, Y. Tsuchiya, S. Oda and H. Mizuta" Applied Physics Letters March 2008 92 092110 (3 pages)
Impact of channel constrictions on the formation of multiple tunnel junctions in heavily doped silicon single electron transistors "M. Manoharan, S. Oda and H. Mizuta" Applied Physics Letters March 2008 93 112107 (3 pages)
Single-electron tunnelling via quantum dot cavities built on a silicon suspension nanobridge "J. Ogi, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, and S. Oda" Microelectronics Engineering May 2008 85 (5-6) 1410-1412
Synthesis of Assembled Nanocrystalline Si Dots Film by the Langmuir?Blodgett Technique "A.Tanaka, Y.Tsuchiya, K.Usami, S.Saito, T.Arai, H.Mizuta, S.Oda" Japanese Journal of Applied Physics May 2008 47 (5) 3731-3734
Observation of Quantum Level Spectrum for Silicon Double Single-Electron Transistors "Y. Kawata, Tomohiro Yamaguchi, Koji Ishibashi, Yoshishige Tsuchiya, Shunri Oda, Hiroshi Mizuta" Applied Physics Express May 2008 1 (5) 051401 (3 pages)
Control of Electrostatic Coupling Observed for Silicon Double Quantum Dot Structures "Gento Yamahata, Yoshishige Tsuchiya, Shunri Oda, Z. A. K. Durrani, Hiroshi Mizuta" Japanese Journal of Applied Physics June 2008 47 (6) 4820-4826
Size-Dependent Structural Characterization of Silicon Nanowires "Saeed Akhtar, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, and S. Oda" Japanese Journal of Applied Physics June 2008 47 (6) 5053-5056
Influence of nanocrystal size on conduction mechanism across silicon nanocrystals "X. Zhou, K. Usami, M. A. Rafiq. H. Mizuta, Y. Tsuchiya, and S. Oda" Journal of Applied Physics July 2008 104 24518
The impacts of surface conditions on the vapor-liquid-solid growth of germanium nanowires on Si (100) substrate "C. B. Li, K. Usami, T. Muraki, H. Mizuta, K. Uchida, S. Oda " Applied Physics Letters August 2008 93 041917 (3 pages)
Formation Mechanism of 100 nm-Scale Periodic-Structures in Silicon Using Magnetic-Field-Assisted Anodization "D. Hippo, Y. Nakamine, K. Urakawa, Y. Kawata, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida and S. Oda" Japanese Journal of Applied Physics September 2008 47 7398-7402
Impact of key circuit parameters on signal-to-noise ratio characteristics for the radio-frequency single electron transistors "M. Manoharan, B. Pruvost，H. Mizuta，S. Oda" IEEE Transactions on Nanotechnology September 2008 7 (3) 266-272
Study of Single-Charge Polarization on a Pair of Charge Qubits Integrated onto Silicon Double Single-Electron Transistor Readout "Y. Kawata, Y. Tsuchiya, S. Oda, H. Mizuta" IEEE Transactions on Nanotechnology September 2008 7 (5) 617-623
Visible Electroluminescence from Spherical-shaped Silicon Nanocrystals "H-J Cheong, A. Tanaka, D. Hippo, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, and S. Oda" Japanese Journal of Applied Physics October 2008 47 8137-8140
Influence of the Crystal Orientation of Substrate on Low Temperature Synthesis of Silicon Nanowires from Si2H6 "Saeed Akhtar, A Tanaka, K. Usami, Y. Tsuchiya and S. Oda" Thin Solid Films November 2008 517 (1) 317-319
Silicon-on-Insulator-Based Radio Frequency Single-Electron Transistors Operating at Temperatures above 4.2 K "M. Manoharan, Y. Tsuchiya, S. Oda and H. Mizuta" Nano Letters 2008 8(12) 4648-4652
Field-dependant hopping conduction in silicon nanocrystal films "M. A. Rafiq, Z. A. K. Durrani, H. Mizuta, A. Colli, P. Servati, A. C. Ferrari, W. I. Milne, and S. Oda" Journal of Applied Physics 2008 104 123710 (3 pages)
Hybrid silicon nanotechnologies for advanced information processing "H. Mizuta, Y. Tsuchiya and S. Oda" International Conference on Nano and Microelectronics (ICONAME2008)
VLS growth of germanium nanowires on SiO2-terminanted Si (111) substrate "C. B. Li, K. Usami, H. Mizuta, K. Uchida, S. Oda" Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts
Hybrid silicon nanotechnologies for 'More-than-Moore' and 'Beyond-CMOS' domains "H. Mizuta, Y. Tsuchiya and S. Oda" 7th International Conference on Global Research and Education - Inter-Academia
Co-integration of Silicon Nanodevices and NEMS for Advanced Information Processing "H. Mizuta, T. Nagami, J. Ogi, B. Pruvost, M.A.G. Ram?rez, H. Yoshimura, Y. Tsuchiya and S. Oda" 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT2008)
Physics and Applications of Hybrid Silicon Nanoelectromechanical Devices "H. Mizuta, Y. Tsuchiya and S. Oda" 5th International Symposium on Nanovision Science / 10th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
Electron transport and photonic properties of Si nanocrystals prepared by VHF plasma processes S. Oda 2nd International Workshop on Semiconducting Nanoparticles


　　　International Conferences

Silicon quantum dots: the future of electronics and photonics? S. Oda "Workshop-cum-Symposium on ""Compact Modeling of Advance MOSFET structures and Mixed Mode Applications""" January 2008 Delhi invited
Nano-silicon for novel quantum dot based electronic and photonic devices S. Oda WIMNACT 2008 March 2008 Sikkim invited
Mechanism of One-Directional Nano Etching in Silicon Using Magnetic-Field-Assisted Anodization "D. Hippo, K. Urakawa, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, S.Oda" Porous Semiconductors Science and Technology 2008 March 2008 Mallorca
Single electron transport simulations in silicon nanochains "M.A. Rafiq, Z. A. K. Durrani, H. Mizuta, and S. Oda" Condensed Matter and Materials Physics Conference March 2008 London
Silicon quantum dots: the future of electronics and photonics? S. Oda 4th Field-Wise Seminar on Nanoelectronics and Nanophotonics March 2008 Yangon invited
Silicon-based Quantum Information Devices "Gento Yamahata, Yoshiyuki Kawata, Manoharan Muruganathan, and Shunri Oda, Yoshishige Tsuchiya, and Hiroshi Mizuta" The forth International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC-4) April 2008 Tokyo
"Integration, Assembly and Doping of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots" "T. Ishikawa, A. Tanaka, N. Inaba, S. Nishimoto, K. Usami and S. Oda, Y. Tsuchiya, H. Mizuta," The forth International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC-4) April 2008 Tokyo
NEMS Memory Devices for Future Integrated Systems "T. Nagami, S. Matsuda, N. Momo, S. Oda, Y. Tsuchiya, H. Mizuta," The forth International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC-4) April 2008 Tokyo
Silicon quantum dot devices. S. Oda 26th International Conference on Microelectronics May 2008 "Nis, Serbia" invited
Silicon quantum dot devices. S. Oda Japan-Brazil Memorial Symposium on Science and Technology for the Celebration of 100 years of Japanese Immigration to Brazil June 2008 Sao Paulo invited
Design optimization of NEMS switches for single-electron logic applications "B. Pruvost, H. Mizuta, and S. Oda" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Controlled Ge nanowire growth on patterned Au catalyst substrate "C. B. Li, K. Usami, H. Mizuta, and S. Oda" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Electron transport through silicon multiple quantum dot array devices "G. Yamahata, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, and S. Oda" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Anomalous suppression of single-electron tunneling observed for Si nanobridge transistors with a suspended quantum dot cavity "J. Ogi, M. Manoharan, Y. Tsuchiya, S. Oda, and H. Mizuta" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Is it possible to avoid uncontrolled multiple tunnel junctions induced by random dopants in heavily-doped silicon single-electron transistors? "M. Manoharan, Y. Tsuchiya, S. Oda, and H. Mizuta" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Atomic study of phonon states in hydrogen-terminated Si ultra-thin films "S. Sawai, S. Uno, M. Okamoto, Y. Tsuchiya, S. Oda, and H. Mizuta" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Transient response anlaysis of programming/readout characteristics for NEMS memory "T. Nagami, S. Matsuda, Y. Tsuchiya, S. Saito, T. Arai, T. Shimada, H. Mizuta, and S. Oda" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
P-type Si nanocrystal thin-film transistor "X. Zhou, M. A. Rafiq, H. Mizuta, and S. Oda" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Observation of quantum level spectrum for silicon double single-electron transistors "Y. Kawata, T. Yamaguchi, K. Ishibashi, Y. Tsuchiya, S. Oda, and H. Mizuta," IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Switching properties of electromechanically bistable and multistable bridges for nonvolatile memory applications "Y. Tsuchiya, S. Matsuda, T. Nagami, S. Saito, T. Arai, T. Shimada, S. Oda, and H. Mizuta" IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop June 2008 Honolulu
Silicon quantum dots: the future of electronics and photonics? S. Oda Nano Korea 2008 August 2008 Seoul invited
The influence of surface condition on the growth of germanium nanowire on Si substrate "C. B. Li, K. Usami, H. Mizuta, and S. Oda" International Conference on Physics of Semiconductors August 2008 Rio de Janeiro
Silicon nanochains: Electron transport properties and applications "M. A. Rafiq, Z. A. K. Durran, H. Mizuta, A. Colli, P. Servati, A. C. Ferrari, W. I. Milne, and S. Oda" International Conference on Physics of Semiconductors August 2008 Rio de Janeiro
Size effect on hopping conduction in silicon nanocrystals "X. Zhou, M. A. Rafiq, H. Mizuta, and S. Oda" International Conference on Physics of Semiconductors August 2008 Rio de Janeiro
Silicon radio frequency single-electron transistors operating at above 4.2K "M. Manoharan, Y. Tsuchiya, S. Oda and H. Mizuta" "Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts" September 2008 Tsukuba
Enhanced tunnel conductance due to QCA cotunneling processes observed for silicon serial triple quantum dots "G. Yamahata, K. Uchida, S. Oda, Y. Tsuchiya, H. Mizuta" ESSDERC September 2008 Edinburgh
Detection of Single-Charge Polarisation in Silicon Double Quantum Dots by Using Serially-Connected Multiple Single-Electron Transistors "Y. Kawata, S. Oda, Y. Tsuchiya, H. Mizuta," ESSDERC September 2008 Edinburgh
Phosphorous-doping in silicon nanocrystals "N. Inaba, Y. Nakamine, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, K. Uchida, R. N. Pereira, A. R. Stegner, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and S. Oda" 34th International Conference on Micro- and Nano-Engineering September 2008 Athens
Silicon nanocrystals light-emitters for optical interconnects "H-J Cheong, Y. Nakamine, D. Hippo, K. Uchida and Shunri Oda" 214th Meeting of The Electrochemical Society October 2008 Honolulu invited


　　　Domestic Conferences

Pr-silicate極薄膜界面化学結合状態のin-situ N2アニール処理依存性 古川亮介、土屋良重、北村幸司、野平博司、小田俊理 第13回「ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−」 February 2008 三島市
ダンピングを考慮したNEMSメモリの過渡応答特性の解析 永見　佑，松田真之介，土屋良重，斎藤慎一，新井　唯，嶋田壽一，水田　博，小田俊理 第55回応用物理学関係連合講演会 March 2008 船橋市
シリコン多重量子ドットアレイデバイスにおける電子輸送特性評価 山端元音，土屋良重，水田　博，小田俊理 第55回応用物理学関係連合講演会 March 2008 船橋市
磁場印加陽極酸化法による高アスペクト比2次元フォトニック結晶形成機構 筆宝大平，浦川　圭，土屋良重，水田　博，越田信義，小田俊理 第55回応用物理学関係連合講演会 March 2008 船橋市
Fabrication of Silicon Nanogap Electrodes for Measuring Single Nanocrystalline Silicon Quantum Dot Akhmadi Surawijaya，Ken Uchida，Shunri Oda 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
単電子論理回路応用に向けたNEMSスイッチ設計の最適化 Benjamin Pruvost，内田　建，水田　博，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
Operation of SOI-based radio frequency single electron transistor above 4.2 K Manoharan Muruganathan，Yoshishige Tsuchya，Hiroshi Mizuta，Ken Uchida，Shunri Oda 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
高密度細線シリコンナノワイヤ作製に向けたナノコロイド配列の検討 Saeed Akhtar，宇佐美浩一，内田　建，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
Silicon nanocrystal Thin film transistor Xin Zhou，内田　建，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
シリコン2次元フォトニック結晶によるSiナノ結晶の発光特性の制御 佐野　洋，中峯嘉文，筆宝大平，内田　建，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
シリコン3重結合量子ドットにおける電子輸送特性評価 山端元音，土屋良重，水田　博，内田　建，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
ナノ結晶シリコン量子ドットの表面修飾によるゼータ電位の変化 石川哲也，岡田哲男，内田　建，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
ディップコーティング法によるナノ結晶シリコン量子ドットの集積 石川哲也，内田　建，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
シリコン2重単電子トランジスタにおける量子準位スペクトルの観測 川田善之，山口智弘，石橋幸治，土屋良重，水田　博，内田　建，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井
基板窒化処理によるシリコンナノ結晶ELデバイスの高性能化 鄭　恵貞，宇佐美浩一，内田　建，土屋良重，水田　博，小田俊理 第69回応用物理学会学術講演会 September 2008 春日井

　　　Others

Silicon quantum dots: the future of electronics and photonics? S. Oda Nanjing University April 2008 Nanjing invited
Nano-silicon for novel quantum dot based electronic and photonic devices S. Oda EPFL April 2008 Lausanne invited
Silicon quantum dots: the future of electronics and photonics? S. Oda Centre SI Summer School on Nanoelectronic Circuits and Tools July 2008 Lausanne invited
Novel Nano-ElectroMechanical-System Devices S. Oda Centre SI Summer School on Nanoelectronic Circuits and Tools July 2008 Lausanne invited


2007

　　　Journal Papers

New Design Concept and Fabrication Process for Three-Dimensional Silicon Photonic Crystal Structures D. Hippo,
K. Urakawa,
Y. Kawata,
Y. Tsuchiya,
H. Mizuta,
N. Koshida
S. Oda 		Japanese Journal of Applied Physics 46 (2) 633-637 2007 .
Three-dimensional numerical analysis of switching properties of high-speed and non-volatile nanoelectromechanical memory T. Nagami, H. Mizuta, N. Momo, Y. Tsuchiya, S. Saito, T. Arai, T. Shimada and S. Oda IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 54 (5), pp. 1132 ? 1139, 2007, May.
3-D Design and Analysis of Functional NEMS-gate MOSFETs and SETs B. Pruvost, H. Mizuta, S. Oda IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol.6 (2)218-224, 2007, March.
Integration of tunnel-coupled double nanocrystalline silicon quantum dots with a multiple gate single-electron transistor Japanese Y. Kawata, M. Khalafalla, K. Usami,Y. Tsuchiya, H. Mizuta and S. Oda Journal of Applied Physics, Vol. 46 (7A) , pp. 4386-4389,2007, July.
ChargeStorage and Electron/Light Emission Properties of Silicon Nanocrystals S. Oda, S. Y. Huang, M. A. Salem, D. Hippo and H. Mizuta Physica E, Vol. 38, pp. 59-63, 2007, April.


　　　International Conferences

Silicon-based nanoelectromechanical information devices H. Mizuta,
Y. Tsuchiya,
S. Oda 		AMN-3 2007 Wellington
Nanocrystalline Si dot assembly based on the Langmuir-Blodgett method A.Tanaka,
Y.Tsuchiya,
K.Usami,
S.Saito,
T.Arai,
H.Mizuta,
S.Oda		 AMN-3 2007 Wellington
Nano electromechanical system memory devices S. Oda,
Y. Tsuchiya
H. Mizuta 		AMN-3 2007 Wellington
Low turn on voltage Electroluminescence based on size reduced SiQDs by using HF Hea Jeong Cheong, A. Tanaka, D. Hippo, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, S. Oda CLEO/QELS 2007, 2007, May.
Influence of Crystal Orientation of Substrate on Low Temperature Synthesis of Silicon Nanowires from Si2H6 Saeed Akhtar, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, and S. Oda 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5) , 2007, May.
Novel photonic and electron devices based on silicon nanocrystals S. Oda International Workshop on SEMIconductor NANOstructures 2007, 2007, June.
Ab-initio simulation of phonon properties of ultra-thin silicon films S. Sawai, H. Mizuta, S. Higashijima, S. Uno, M. Okamoto, Y. Tsuchiya, and S. Oda Frontier in Computational Science of Nanoscale Transport" (FCSNT2007), 2007, June.
State of the Art and the Future of Nanoelectronics S. Oda International Conference on Electrical Engineering and Informatics (ICEEI2007), 2007, June.
Voltage-limitation-free compact SET model incorporating the effects of spin-degenerate discrete energy states B. Pruvost, H. Mizuta, and S. Oda IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop, 4-12, 2007, June.
Fabrication and Characterization of Double Single-Electron Transistors as a Readout for Charge Qubits Y. Kawata, M. Manoharan, Y. Tsuchiya, H. Mizuta and S. Oda IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop, 4-46, 2007, June.
High-speed and Non-volatile Memory Devices Using Macroscopic Polarized Stack of Double Floating Gates Interconnected with Engineered Tunnel Oxide Barrier Y. Tsuchiya, T. Kurihara, D. Sato, H. Niikura,　H. Mizuta and S. Oda IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop, 4-59, 2007, June.
Observation of strongly-coupled multiple-dot characteristics in the dual recess structured silicon channel with different oxidation conditions M. Manoharan, Y. Kawata, Y. Tsuchiya, H. Mizuta and S. Oda IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop, 4-62, 2007, June.
DFT simulation of dynamic charge states in double silicon quantum dots S. Higashijima, S. Sawai, Y. Tsuchiya, M. Okamoto,　H. Mizuta, and S. Oda IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop, 6-3, 2007, June.
Theory of Nonequilibrium Transport Properties for a Three-site Quantum Wire Yangdong Zheng, Hiroshi Mizuta and Shunri Oda Frontiers in Computational Science of Nanoscale Transport (FCSNT2007), 2007, June.
Nonequilibrium Transport Properties for a Three-site Quantum wire Model Yangdong Zheng, Hiroshi Mizuta and Shunri Oda 15th International Conference on　Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS-15), 2007, July.
NeoSilicon Devices S. Oda 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 22), 2007, August.
Control of electrostatic coupling observed for Si double quantum dot structures G. Yamahata,? Y. Tsuchiya, S. Oda and H. Mizuta Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts, 2007, September.
Study of Single-Charge Polarization on two Charge Qubits Integrated onto a Double Single-Electron Transistor Readout Y. Kawata, S. Nishimoto, Y. Tsuchiya, S. Oda and H. Mizuta Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts, 2007, September.
Optical Properties of Silicon Three-Dimensional Photonic Crystal Fabricated by Self-Aligned Two-Directional Electrochemical Etching Method D. Hippo, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, S. Oda, K. Urakawa, N. Koshida 4th International Conference on Group IV Photonics, WP4, 2007, September.
Single-electron tunnelling via quantum dot cavities built on a silicon suspension nanobridge J. Ogi, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, and S. Oda 33rd International Conference on Micro- and Nano-Engineering, 2007, September.
Nano-silicon for novel quantum dot based electronic and photonic devices S. Oda The Electrical and Electronics Engineering Fieldwise Seminar (EEE-FWS) 2007 on Advances in Systems and Information Technology, 2007, November.
Observation of Size Dependent Structural Defects in Silicon Nanowires Saeed Akhtar, K. Usami, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, and S. Oda 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2007), 8B-13-5L, 2007, November.
Phonon properties of ultra thin silicon films S.Sawai, S.Uno, M.Okamoto, Y.Tsuchiya, S.Oda and H.Mizuta 2nd Workshop on ab initio phonon calculations, 2007, December.


　　　Domestic Conferences

MOCVD法により作製したPrシリケート極薄膜の化学結合状態のアニール処理依存性 古川亮介、
土屋良重、
松田徹、
野平博司、
水田博、
丸泉琢也、
白木靖寛、
服部健雄、
池永英司、
小林啓介、
小田俊理		 第12回「ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−」 2007 三島市
Voltage-limitation-free comtact SET model incorporating the effects of spin-degenerate discrete energy states B. Pruvost，
H. Mizuta，
S. Oda 		第54回応用物理学関係連合講演会 2007 相模原市
３次元フォトニック結晶への欠陥導入によるシリコン量子ドットの自然放出制御 筆宝大平，
浦川　圭，
土屋良重，
水田　博，
越田信義，
小田俊理 		第54回応用物理学関係連合講演会 2007 相模原市
2電荷量子ビットに向けた2重単電子トランジスタ型電荷検出器の検討 川田善之，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理 		第54回応用物理学関係連合講演会 2007 相模原市
MOCVD法により作製したPrシリケート極薄膜の化学結合状態のアニール処理依存性 古川亮介、
土屋良重、
須藤貴也、
松田徹、
野平博司、
水田博、
丸泉琢也、
白木靖寛、
服部健雄、
池永英司、
小林啓介、
小田俊理 		第54回応用物理学関係連合講演会 2007 相模原市
Low Temperature Synthesis of Silicon Nanowires S. Akhtar, A.Tanaka, Y.Tsuchiya, K.Usami, H. Mizuta, and S. Oda 第54回応用物理学関係連合講演会 2007 相模原市
シリコンナノクリスタルデバイス 小田俊理 ナノ学会第5回大会, 2007, ５月
シリコン量子ドットの作製とデバイス応用 小田俊理 電気化学秋季大会, 特1O19, 2007, 9月
VHFプラズマ気相形成シリコンナノドットへの不純物ドーピング 稲葉直樹,宇佐美浩一,土屋良重,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 4p-M-10, 2007, 9月
Conduction of size controlled silicon nanocrystals film Xin Zhou,Hea-Jeong Cheong,土屋良重,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 5a-ZF-5, 2007, 9月
第一原理計算によるシリコン極薄膜のフォノン解析 澤井俊一郎,東島賢,宇野重康,岡本政邦,土屋良重,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 5p-ZE-15, 2007, 9月
Suspended-Gate MOSFETのための梁構造の作製とC-V測定によるpull-inの観測 柴村純平,Benjamin Pruvost,土屋良重,宇佐美浩一,斎藤慎一,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 5p-ZE-2, 2007, 9月
SET-NEMS-ゲート可動式単電子トランジスタの研究- ",第68回応用物理学会学術講演会 BENJAMIN PRUVOST,SVERRE HAMRE,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 5p-ZE-3, 2007, 9月
シリコン量子ドットの作製とデバイス応用 小田俊理 電気化学秋季大会 2007 東京 invited
低温でのジシランを用いた単結晶シリコンナノワイヤーの作製 SAEED AKHTAR,田中敦之,宇佐美浩一,土屋良重,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 5p-ZE-4, 2007, 9月
ナノ結晶シリコンドット発光デバイスの断面構造解析と窒化膜を利用した高性能化の検討 鄭恵貞,栗原智之,田中敦之,宇佐美浩一,土屋良重,水田博,小田俊理第68回応用物理学会学術講演会, 6a-L-12, 2007, 9月
表面修飾したナノ結晶シリコンドットを用いたLB膜作製 田中敦之,土屋良重,宇佐美浩一,斎藤慎一,新井唯,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 6a-M-7, 2007, 9月
スタック型二重フローティングゲート分極構造の作製と評価 栗原智之,新倉浩樹,土屋良重,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 6a-ZE-5, 2007, 9月
2方向エッチングによるシリコン3次元フォトニック結晶の作製とフォトニックバンドギャップ効果 筆宝大平,土屋良重,水田博,浦川圭,越田信義,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 7a-R-1, 2007, 9月
極薄熱酸化膜を界面層に用いたMOCVD堆積Pr系高誘電率絶縁膜の電気特性評価 古川亮介,土屋良重,野平博司,丸泉琢也,白木靖寛,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 7a-ZM-9, 2007, 9月
NEMSメモリデバイス実現に向けた電荷注入2次元シリコンナノドット層のKFM観察 松田真之介,永見佑,土屋良重,斎藤慎一,新井唯,嶋田壽一,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 8p-ZL-1, 2007, 9月
量子ドットを有するシリコンナノブリッジトランジスタの電子輸送特性評価 小木純,土屋良重,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 8p-ZL-3, 2007, 9月
シリコン2重結合量子ドット構造における静電結合制御 山端元音,土屋良重,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 8p-ZL-4, 2007, 9月
Formation of strongly-coupled multiple-dot in the dual recess structured silicon channel Manoharan Muruganathan,川田善之,Mohammed Khalafalla,土屋良重,水田博,小田俊理 第68回応用物理学会学術講演会, 8p-ZL-5, 2007, 9月
Characteristic of Single Nanocrystalline Silicon Quantum Dot Resonant Tunneling Diodes in Series Combination Akhmadi Surawijaya，Yoshishige Tsuchiya，Hiroshi Mizuta，Shunri Oda 第68回応用物理学会学術講演会, 8p-ZL-6, 2007, 9月



2006

　　　Journal Papers

Bottom-up approach to silicon nanoelectronics H. Mizuta and
S. Oda		 Microelectronics Journal;
(2006)
Nano-electro-mechanical nonvolatile memory device incorporating nanocrystalline Si dots Y. Tsuchiya,
K. Takai,
N. Momo,
T. Nagami,
S. Yamaguchi,
T. Shimada,
H. Mizuta and
S. Oda		 Journal of Applied Physics;
(2006)
Observation and Analysis of Tunneling Properties of a Single Spherical Nanocrystalline Silicon Quantum Dot A. Surawijaya,
H. Mizuta and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
45(4B)3638-3641(2006)
Three-dimensional numerical analysis of switching properties of high-speed and non-volatile nanoelectromechanical memory T. Nagami,
H. Mizuta,
N.Momo,
Y. Tsuchiya,
S. Saito,
T. Arai,
T. Shimada and
S. Oda		 IEEE Trans. Electron Devices(2006)
High-Density Assembly of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots A. Tanaka,
Y. Tsuchiya,
K. Usami,
H. Mizuta and
S. Oda		 Current Applied Physics;
6 (3)344-347(2006)
Observation of Interdot Coupling Phenomena in Nanocrystalline Silicon Point-Contact Structures M. Khalafalla,
H. Mizuta,
Z. A.K. Durrani,
H. Ahmed and
S. Oda		 Current Applied Physics;
6 (3)536-540(2006)


　　　International Conferences

Broadband Variable Chromatic Dispersion in Photonic-Band Electro-Optic Waveguide K. Ogawa,
K. Tomizawa,
Y-T. Tan,
My The Doan,
Yu Ming Bin and
Dim-Lee Kwong,
S. Yamada,
J. B. Cole,
Y. Katayama,
H. Mizuta and
S. Oda		 OFC 2006,
Anaheim(March 2006)
Nanocrystalline Silicon Quantum Dot Devices S. Oda and
H. Mizuta		 Electrochemical Society,
Denver(May 2006)
Charge Storage and Electron/Light Emission Properties of Silicon Nanocrystals S. Oda and
H. Mizuta		 E-MRS Spring Meeting,
Nice(May 2006)
Visible Electroluminescence from Size-Controlled Silicon
Quantum Dots		 Hea Jeong Cheong,
D. Hippo,
A. Tanaka,
K. Usami,
Y. Tsuchiya,
H. Mizuta and
S. Oda		 CLEO/QELS 2006
Long Beach(May 2006)
Fabrication of Silicon 3D Photonic Crystal Structures in 100nm Scale Using Double Directional Etchings Method D. Hippo,
Y. Kawata,
Y. Tsuchiya,
H. Mizuta,
S. Oda,
K. Urakawa and
N. Koshida		 CLEO/QELS 2006
Long Beach(May 2006)
Design and Analysis of Functional NEMS-gate MOSFETs and SETs B. Pruvost，
H. Mizuta，
S. Oda		 IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop
Honolulu(June 2006)
Fabrication and evaluation of Si nanobridge transistor J. Ogi,
N. Momo,
M.A.H. Khalafalla,
Y. Tsuchiya,
H. Mizuta and
S. Oda		 IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop
Honolulu(June 2006)
Fabrication and characterization of nanoscale suspended floating gates for NEMS memory N. Momo,
T. Nagami,
S. Matsuda,
Y. Tsuchiya,
S. Saito,
T. Arai,
Y. Kimura,
T. Shimada,
H. Mizuta and
S. Oda		 IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop
Honolulu(June 2006)
Electro-Mechanical simulation of programming/readout characteristics for NEMS memory T. Nagami,
N.Momo,
Y. Tsuchiya,
S. Saito,
T. Arai,
T. Shimada,
H. Mizuta and
S. Oda		 IEEE Silicon Nanoelectrinics Workshop
Honolulu(June 2006)
Observation of quantum effects in the electron transport characteristics of a nanocrystalline silicon point contact transistor M. Khalafalla,
H. Mizuta,
Z. A.K. Durrani and
S. Oda		 ICPS
Vienna(July 2006)
Preparation, characterization and application of nanocrystalline silicon quantum dot devices S. Oda Rencontres du Vietnam 2006: Nanophysics: from fundamentals to applications
Hanoi(August 2006)
Tunnel-coupled double nanocrystalline Si
quantum dots integrated into a singleelectron transistor		 Y. Kawata,
M. Khalafalla,
K. Usami,
Y. Tsuchiya,
H. Mizuta and
S. Oda		 Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts
Yokohama(September 2006)
Possible Nonequilibrium Kondo
Effect in a Nanocrystalline Silicon
Point-Contact Transistor		 M. A. H. Khalafalla,
H. Mizuta,
S. Oda and
Z. A. K. Durrani		 Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts
Yokohama(September 2006)
Hybrid simulation of the RFSET and its charge sensitivity analysis M. Manoharan,
H. Mizuta and
S. Oda		 Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts
Yokohama(September 2006)
NeoSilicon: Novel functional materials with controlled interaction between quantum dots S. Oda,
Y. Tsuchiya and
H. Mizuta		 International Topical Workshop "Tera- and Nano-Devices:
Physics and Modeling"
Aizu(October 2006)
Nanocrystalline Silicon Quantum Dot Devices S. Oda,
S. Y. Huang,
M. A. Salem,
D. Hippo,
A. Tanaka,
Y. Tsuchiya and
H. Mizuta		 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit
Technology
Shanghai(October 2006)


　　　Domestic Conferences

　 2方向エッチングによるシリコン3次元フォトニック結晶の作製 筆宝大平，
浦川　圭，
川田善之，
土屋良重，
水田　博，
越田信義，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
分散溶媒を用いたナノ結晶シリコンドット集積化技術：傾斜基板上での集積化 田中敦之，
土屋良重，
宇佐美浩一，
水田　博，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
ナノエレクトロメカニカルゲートを有する高機能MOSFET及びSETの設計・解析 B. Pruvost，
H. Mizuta，
S. Oda		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
SiO2/HfO2/SiO2積層トンネル膜を用いたスタック型二重フローティングゲートメモリ 佐藤大典，
新倉浩樹，
土屋良重，
水田　博，
野平博司，
丸泉琢也，
白木靖寛，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
マルチゲートシリコン単電子トランジスタの作製 川田善之，
M. Kharafalla，
宇佐美浩一，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
シリコンナノブリッジトランジスタの作製と評価 小木　純，
百々信幸，
M. Khalafalla，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
SET-Spiceハイブリッドシミュレーションを用いたRE-SETの感度解析 M. Muruganathan，
H. Mizuta，
S. Oda		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
A Few Electron Memory Device Based on Surface Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots S. Huang，
宇佐美浩一，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
Resonant Tunneling Device Using a Single Nanocrystalline Silicon Quantum Dot A Surawijaya，
Y. Tsuchiya，
H. Mizuta，
S. Oda		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
3次元有限要素シミュレーションによるNEMSメモリのスイッチング電圧低減の検討 永見　佑，
百々信幸，
土屋良重，
斎藤慎一，
新井　唯，
嶋田壽一，
水田　博，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
NEMSメモリデバイスの実現に向けた2層ブリッジ構造体の作製 百々信幸，
永見　佑，
土屋良重，
斎藤慎一，
新井　唯，
嶋田壽一，
水田　博，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
シリコン量子ドットからの可視エレクトロルミネッセンスの観測 鄭　恵貞，
筆宝大平，
田中敦之，
宇佐美浩一，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第53回応用物理学関係連合講演会；
東京(March 2006)
2方向エッチングによるシリコン3次元フォトニック結晶への欠陥導入プロセス 筆宝大平，
浦川圭，
川田善之，
土屋良重，
水田博，
越田信義，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
分散液中のナノ結晶シリコンドットの表面修飾 向井　崇，
田中敦之，
土屋良重，
宇佐美浩一，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
LB膜作製法を用いたナノ結晶シリコンドット集積化技術 田中敦之，
土屋良重，
宇佐美浩一，
齋藤真一，
新井　唯，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
シリコン多重量子ドットアレイデバイスの作製 山端元音，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
第一原理計算によるSiO2/Si/SiO2ナノ構造中のフォノン解析 澤井俊一郎，
東島　賢，
土屋良重，
岡本政邦，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
ナノ結晶シリコン二重量子ドットと単電子トランジスタの集積化 川田善之，
M. Kharafalla，
宇佐美浩一，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
RF-SETに向けた可変トンネルバリア・マルチゲートシリコン単電子トランジスタ M. Muruganathan，
Y. Kawata，
H. Mizuta and
S. Oda		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
ナノ結晶シリコンポッイントコンタクトトランジスタにおけるクーロンギャップ内共嗚コンダクタンスの観測 M. Khalafalla，
水田　博，
小田俊理 and
Z. Durrani		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
シリコンナノブリッジトランジスタの作製と評価 小木　純，
M. Khalafalla，
永見　佑，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
スタック型二重フローティングゲート不揮発性メモリ特性シミュレーション 栗原智之，
新倉浩樹，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
有限要素シミュレーションによるNEMSメモリの読み出し特性の解析 永見　佑，
松田真之介，
土屋良重，
斎藤慎一，
新井　唯，
嶋田壽一，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
NEMSメモリデバイスの実現にむけた電圧印加による曲がり梁のスイッチング検証 松田真之介，
永見　佑，
土屋良重，
斎藤慎一，
新井　唯，
嶋田壽一，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN2アニール効果の検討 古川亮介，
須藤貴也，
土屋良重，
野平博司，
水田　博，
丸泉琢也，
白木靖寛，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
ハイブリッドSET-NEMS用いた構造を新機能デバイスの研究 B. Pruvost，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(August 2006)
サイズ制御したシリコン量子ドットからの可視エレクトロルミネッセンス 鄭　恵貞，
田中敦之，
筆宝大平，
宇佐美浩一，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第67回応用物理学会学術講演会
草津(September 2006)


　　　Books

Electron transport in nanocrystalline silicon H. Mizuta,
S. Uno,
N. Mori,
S. Oda and
N. Koshida		 Springer；total 25 pages(2006)
Nanocrystalline Silicon Memory Devices S-Y. Huang,
H. Mizuta　and
S. Oda		 Handbook of Semiconductor
Nanostructures and Nanodevices
Edited by A. A. Balandin and K. L. Wang, American Scientific Publishers；(2006)


　　　Seminars

　 Silicon Quantum Dot Devices S. Oda Chulalongkorn University；
Bangkok(March 2006)
　 Silicon Nanoelectronics S. Oda Oxford University；
Oxford(May 2006)
Nanocrystalline silicon quantum dot devices S. Oda Cambridge University；
Cambridge(May 2006)
Nano-silicon for novel quantum dot based electronic and photonic devices S. Oda Trento University；
Trento(June 2006)
Nanocrystalline silicon quantum dot devices S. Oda IMEC；
Leuven(June 2006)
Nanocrystalline silicon quantum dot devices S. Oda Ecole Polytechnique；
Paris(June 2006)

　　　Others

　 シリコン量子ドットデバイス 小田俊理 ２１世紀COE「量子ナノ物理学」第２回公開シンポジウム
東京(March 2006)


2005

　　　Journal Papers

Charge storage in nitrided nanocrystalline silicon dots S. Huang and
S. Oda		 Applied Physics Letters;
87 (17)173107(2005)
In situ real-time spectroscopic ellipsometry study of HfO2 thin films grown by using the pulsed-source MOCVD Y. D. Zheng,
H Mizuta,
Y. Tsuchiya,
M. Endo,
D. Sato and
S. Oda		 Journal of Applied Physics;
97,pp.023527(2005)
Atomic force microscope current-imaging study for current density through nanocrystalline silicon dots embedded in SiO2 M. A. Salem,
H. Mizuta,
S. Oda,
Y. Fu and
M. Willander		 Japanese Journal of Applied Physics;
44(2)L88-L91(2005)
Study of charge quantization in individual silicon quantum dots using Kelvin Probe Force Microscopy M. A. Salem,
Y. Tsuchiya,
K. Usami,
H. Mizuta and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics(2005)


　　　International Conferences

Nanocrystalline Silicon Quantum Dot Devices S. Oda 6th Workshop and IEEE EDS Mini-colloquia on NAnometer CMOS Technology,
Hsinchu, Taiwan(January 2005)
High-Density Assembly of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots A. Tanaka,
Y. Tsuchiya,
K. Usami,
H. Mizuta and
S. Oda		 Second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology,
Queenstown(February 2005)
Observation of Interdot Coupling Phenomena in Nanocrystalline Silicon
Point-Contact Structures		 M. Khalafalla,
H. Mizuta,
Z. A.K. Durrani,
H. Ahmed and
S. Oda		 Second International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology,
Queenstown(February 2005)


　　　Domestic Conferences

　 I可視域3次元シリコンフォトニック結晶の設計と作製プロセス 筆宝大平，
浦川　圭，
土屋良重，
水田　博，
越田信義，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
分光エリプソメトリによるHfO2薄膜成長過程のその場観察：第一原理計算との比較 鄭　仰東，
土屋良重，
佐藤大典，
水田　博，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
角度分解X線光電子分光法によるPrシリケート／Si(100)界面近傍の深さ方向化学結合状態分析 藤田啓嗣，
土屋良重，
野平博司，
水田　博，
丸泉琢也，
服部健雄，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
ナノ結晶シリコンクロストランジスタにおける静電相互作用の変化とパーコレーションパスの解析 Mohammed Khalafalla,
水田　博，
Zahid Durrani，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
ナノ結晶Siドット分散溶液を用いたSiナノドットクラスタデバイスの作製 山端元音，
田中敦之，
川田善之，
土屋良重，
斎藤真一，
新井　唯，
水田　博，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
第一原理計算によるシリコンナノロッドの量子輸送シミュレーション 黒川康良，
東島　賢，
土屋良重，
岡本政邦，
水田　博，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
Analysis of Combined Storage in Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots Shaoyun Huang，
宇佐美浩一，
土屋良重，
水田　博，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
分散溶媒を用いたナノ結晶シリコンドットの2次元集積化 田中敦之，
土屋良重，
宇佐美浩一，
水田　博，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
歪みを考慮したNEMSメモリデバイスの高精度スイッチング動作解析 永見　佑，
百々信幸，
土屋良重，
斎藤慎一，
新井　唯，
嶋田壽一，
水田　博，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)
SiH4/H2/Arガス混合プラズマによるナノ結晶シリコンの作製と評価 池澤健太，
土屋良重，
宇佐美浩一，
水田　博，
小田俊理		 第52回応用物理学関係連合講演会；
さいたま(March 2005)


2004

　　　Journal Papers

Coherent states in a coupled quantum dot nanocrystalline silicon transistor M. A. H. Khalafalla,
Z. A. K. Durrani and
H. Mizuta		 Applied Physics Letters;
85(12)2262-2264(2004)
Nanosilicon for single-electron devices H. Mizuta,
Y. Furuta,
T. Kamiya,
Y.T. Tan,
Z.A.K. Durrani,
S. Amakawa,
K. Nakazato and
H. Ahmed 		Current Applied Physics
498-101(2004)
Improved Off-Current and Subthreshold Slope in Aggressively Scaled Poly-Si TFTs With a Single Grain Boundary in the Channel P. M. Walker,
H. Mizuta,
S. Uno,
Y. Furuta and
D. G. Hasko 		IEEE Transactions on Electron Devices
51(2) 212-219(2004)
　 Towards Long-Term Retention-Time Single-Electron-Memory Devices Based on Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots S. Huang,
K. Arai,
K. Usami and
S. Oda		 IEEE Transactions on Nanotechnology
3 (1) 210-214(2004)
Nanocrystalline silicon dot displacement using speed-controlled tapping-mode atomic force microscopy S. Kanjanachuchai,
Y. Tsuchiya,
K. Usami and
S. Oda		 Microelectronic Engineering 73-74 615-619(2004)
Probing electron charging in nanocrystalline Si dots using Kelvin Probe Force Microscopy M. A. Salem,
H. Mizuta and
S. Oda		 Applied Physics Letters
85(15)3262-3264(2004)


　　　International Conferences

Bottom-up Silicon Nanoelectronics(invited) H. Mizuta,
M. A. H. Khalafalla,
Z. A. K. Durrania,
S. Uno,
N. Koshida,
Y.Tsuchiya and
S. Oda		 7th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology,
Beijing(October 2004)
Electron Transport Properties and Device Applications of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots(invited) H. Mizuta,
M. A. H. Khalafalla,
Z. A. K. Durrania,
S. Uno,
N. Koshida,
Y.Tsuchiya and
S. Oda		 The Electrochemical Society,
Honolulu(October 2004)
　 Formation of an Ordered Array of nc-Si Dots by Using a Solution Droplet Evaporation Method Y. Tsuchiya,
T. Iwasa,
A. Tanaka,
K. Usami,
H. Mizuta and
S. Oda		 MRS Spring Meeting,
San Francisco(April 2004)
Nano Electromechanical Memory Device Usingnc-Si Dots Y. Tsuchiya, K. Takai, N. Momo, S. Yamaguchi, T. Shimada, S. Koyama, K. Takashima, Y. Higo, H. Mizuta and S. Oda Silicon Nanoelectrinics Workshop, Honolulu (June 2004)
Electron coupling states in quantum dots in nanocrystalline silicon M. Khalafalla, H. Mizuta, Z. A. K. Durrani, H. Ahmed and S. Oda Silicon Nanoelectrinics Workshop, Honolulu (June 2004)
Pr-silicate Ultrathin Films for High-k Gate Dielectrics Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Y. Tsuchiya, H. Fujita, H. Mizuta, H. Nohira, T. Hattori and S. Oda 46th Electronic Materials Conference, Notre Dame (June 2004)
Nanoscale Observation of Size and Potential for Charged Nanocrystalline Si Dots using KFM M. A. Salem, Y. Tsuchiya, K. Usami, H. Mizuta and S. Oda 16th Internatioinal Vacuum Congress, Venice (June 2004)
AFM current imaging for surface oxidized nanocrystalline silicon dot M. A. Salem, H. Mizuta, S. Oda, Y. Fu, and M. Willander International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, Niigata (June 2004)
High-speed and nonvolatile nano electromechanical memory incorporating Si quantum dots Y. Tsuchiya, K. Takai, N. Momo, S. Yamaguchi, T. Shimada, H. Mizuta and S. Oda 27th International Conference on Physics of Semiconductors, Flagstaff (July 2004)
Observation of coherent states in coupled nanocrystalline Si double dots at 4.2K M. Khalafalla, H. Mizuta, Z. A. K. Durrani, H. Ahmed and S. Oda 27th International Conference on Physics of Semiconductors, Flagstaff (July 2004)


　　　Domestic Conferences

　 MOCVD法によるPrシリケート膜の作製と特性評価 土屋良重、
藤田啓嗣、
野平博司、
服部健雄、
水田博、
小田俊理		 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」；
熱川(January 2004)
　 MOCVD法によるPrシリケート膜の作製及び特性評価 藤田啓嗣、
土屋良重、
野平博司、
服部健雄、
水田博、
小田俊理		 第51回応用物理学関係連合講演会；
八王子(March 2004)
　 NEMSメモリデバイスの実現に向けた機械的特性の検討 高居康介、
山口伸也、
土屋良重、
嶋田壽一、
水田博、
小田俊理		 第51回応用物理学関係連合講演会；
八王子(March 2004)
　 Charge Storage in Nitrided nc.-Si Dots, Promising Memory Nodes for Nonvolatile Memory Application S. Huang,
K. Usami,
Y. Tsuchiya,
H. Mizuta and
S. Oda		 第51回応用物理学関係連合講演会；
八王子(March 2004)
　 Interdot coupling effects on Coulomb oscillations in dual-gated nanocrystalline silicon point-contact transistors M. Khalafalla,
H. Mizuta,
Z. A. K. Durrani,
H. Ahmed and
S. Oda		 第51回応用物理学関係連合講演会；
八王子(March 2004)
Silicon Quantum Dot Based Nonvolatile Memory Devices S. Huang and
S. Oda		 第６６回半導体集積回路技術シンポジウム；
東京(June 2004)
3次元フォトニック結晶構造Si量子ドットレーザの提案 筆宝大平、
水田博、
小田俊理		 第65回応用物理学会学術講演会；
仙台(September 2003)
第一原理計算(SIESTA)を用いたナノ結晶Si量子ドットの電子状態解析 東島　賢，
黒川　康良，
土屋　良重，
岡本　政邦,
水田　博，
小田　俊理		 第65回応用物理学会学術講演会；
仙台(September 2003)
第一原理シミュレーションによるシリコンナノロッドの電子状態解析 黒川康良,
東島賢 ,
土屋良重,
岡本政邦,
水田博,
小田俊理		 第65回応用物理学会学術講演会；
仙台(September 2003)
分散溶媒を用いたナノ結晶シリコンドットの配列制御 田中敦之，
土屋良重,
宇佐美浩一,
水田博,
小田俊理		 第65回応用物理学会学術講演会；
仙台(September 2003)
NEMSメモリデバイスにおけるスイッチング動作解析 永見佑,
百々信幸,
土屋良重,
斎藤慎一,
新井唯,
嶋田壽一,
水田博,
小田俊理		 第65回応用物理学会学術講演会；
仙台(September 2003)
Kelvin probe force microscopy study of charging nanocrystalline silicon dots M. A. Salem,
H. Mizuta and
S. Oda		 第65回応用物理学会学術講演会；
仙台(September 2003)

　
　　　Books

　 表面加工 小田俊理、
土屋良重		 化学便覧　基礎編　（日本化学会編、丸善）, 767-768(2004)
Single-electron logic based on3 multiple-tunnel junctions S. Amakawa,
K. Tsukagoshi,
K. Nakazato,
H. Mizuta and
B. W. Alphenaar		 Mesoscopic Tunneling Devices(2004)
Electron transport in nanocrystalline silicon Z.A.K. Durrani, T. Kamiya and H. Mizuta Recent Res. Devel. Applied Phys. 7, 105-124,
Transworld Research Network, India (2004)
単一電子デバイス 神谷利夫、
天川修平、
水田博		 実験化学講座２８巻ナノテクノロジーの化学, 丸善出版（印刷中）


2003
　　


　　　Journal Papers

New Insights in High-Energy Electron Emission and
Underlying Transport Physics of Nanocrystalline Si		 S. Uno,
K. Nakazato,
S. Yamaguchi,
A. Kojima,
N. Koshida and
H. Mizuta,		 IEEE Transactions on Nanotechnology;
2(4)301-307(2003)
Switching of Single-Electron Oscillations in Dual-Gated Nanocrystalline Silicon Point-Contact Transistors M. A. H. Khalafalla,
H.Mizuta and
Z. A. K. Durrani 		IEEE Transactions on Nanotechnology;
2(4)271-276(2003)
Conducting-tip Atomic Force Microscopy for Injection and Probing of Localized Charges in Silicon Nanocrystals S. Banerjee,
M. A. Salem and
S. Oda		 Applied Physics Letters;
83(18)3788-3790 (2003)
A narrow-channel few-electron-memory with nanocrystalline Si dots as floating gate:Evidencee of electron trapping and emission S. Banerjee,
S. Y. Huang and
S. Oda		 IEEE Transactions on Nanotechnology;
2(2)88-92(2003)
Observation of Quantum Confinement Effect in Nanocrystalline Silicon Dot Floating Gate Single Electron Memory Devices S. Huang,
S. Banerjee and
S.Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
737F11.3.1-F11.3.6(2003)
Evaluation of quantum confinement energy in nanocrystaline silicon dots from high-frequency conductance measurement S. Huang,
S. Banerjee,
R.T. Tung and
S.Oda		 Applied Physics Letters;
94(11)7261-7265 (2003)
NeoSilicon materials and silicon nanodevices S. Oda Materials Science and Engineering B;
101,19-23(2003)
Photoluminescence of Surface Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots K. Arai and
S. Oda		 Physica Status Solidi(c);
0 (4)1254-1257(2003)
Electron Trapping, Storing and Emission in nanocrystalline Si dots by Capacitance-Voltage Measurements S. Huang,
S. Banerjee,
R.T. Tung and
S.Oda		 Journal of Applied Physics;
93(1)576-581(2003)
Pulsed Source MOCVD of high-k dielectric thin films with in-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry Y. Tsuchiya,
M. Endo,
M. Kurosawa,
R.T.Tung,
T. Hattori and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
42 (4B)1957-1961(2003)


　　　International Conferences

Towards Long-Term Retention-Time Single-Electron-Memory Based on Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots S. Huang,
K. Arai,
K. Usami and
S. Oda		 Silicon Nanoelectrinics Workshop, Kyoto(June 2003)
Fabrication and Device Application of Nanocrystalline Silicon Particles S. Oda Gas Phase Cluster Assembling of Nanostructured Materials, Erice-Sicily(July 2003)
Nanocrystalline silicon dots displacement using tapping-mode atomic force microscopy S. Kanjanachuchai,
Y. Tsuchiya,
K. Usami and
S. Oda		 Micro and Nano Engineering, Cambridge(September 2003)
Silicon Nanodevices and NeoSilicon S. Oda International Conference on Materials for Advanced Technologies, Singapore(December 2003)
Nanocrystalline Silicon Quantum Dot Devices S. Oda 6th Sweden-Japan QNANO Workshop, Stockholm(December 2003)
Pulsed-source MOCVD HfO2 ultrathin film growth optimized by in situ ellipsometry monitoring Y. Tsuchiya,
M. Endo and
S. Oda		 Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts(2003)



　　　Domestic Conferences

Localized charge injection in nanocrystalline silicon dot using an atomic force microscope tip S. Banerjee,
S. Y. Huang,
Y. Tsuchiya,
K. Usami and
S. Oda		 第50回応用物理学関係連合講演会；
横浜(March 2003)
　 Investigation of nc-Si Quantum Dot Based p/n Channel Few-Electron Devices S. Y. Huang,
S. Banerjee,
Y. Tsuchiya,
K. Usami and
S. Oda		 第50回応用物理学関係連合講演会；
横浜(March 2003)
　 HfO2薄膜のMOCVD成長初期のエリプソメトリによるその場観察 遠藤真人、
鄭仰東、
土屋良重、
小田俊理		 第50回応用物理学関係連合講演会；
横浜(March 2003)
　 液相分散系を用いたナノクリスタルシリコンの配列技術 岩佐達也、
土屋良重、
宇佐美浩一、
小田俊理		 第50回応用物理学関係連合講演会；
横浜(March 2003)
パルス供給MOCVD法によるPrOxの作製と特性評価 黒澤正敏、
吉岡健一、
土屋良重、
服部健雄、
小田俊理		 第50回応用物理学関係連合講演会；
横浜(March 2003)
ナノクリスタルシリコン平面型電子源の電子エネルギー分布 中務琢也、
中村暦、
土屋良重、
宇佐美浩一、
小田俊理、
小島明、
越田信義		 第50回応用物理学関係連合講演会；
横浜(March 2003)
Estimation of charge injected in a single Si dot using AFM M. A. Salem,
S. Banerjee and
S. Oda		 第64回応用物理学会学術講演会；
福岡(September 2003)
分光ｴﾘﾌﾟｿﾒﾄﾘによるHFO2薄幕のﾊﾟﾙｽ供給MOCVD成長過程の観察とﾓﾃﾞﾘﾝｸﾞ 鄭仰東、
土屋良重、
佐藤大典、
小田俊理		 第64回応用物理学会学術講演会；
福岡(September 2003)
ﾅﾉ結晶ｼﾘｺﾝ粒径縮小化に向けたﾊﾟﾙｽｶﾞｽﾌﾟﾗｽﾞﾏﾌﾟﾛｾｽの制御 中務琢也、
池澤健太、
田中敦之、
宇佐美浩一、
土屋良重、
小田俊理		 第64回応用物理学会学術講演会；
福岡(September 2003)
ﾅﾉ結晶ｼﾘｺﾝﾄﾞｯﾄを用いたNEMSﾒﾓﾘﾃﾞﾊﾞｲｽの提案 高居康介、
山口伸也、
土屋良重、
嶋田壽一、
小田俊理		 第64回応用物理学会学術講演会；
福岡(September 2003)
Long-term retention-time memory devices using dual memory nodes: nanocrystalline-silicon and silicon nitride S. Huang,
K. Arai,
K. Usami, Y.Tsuchiya and
S. Oda		 第64回応用物理学会学術講演会；
福岡(September 2003)


2002

　　　Journal Papers

No-phonon assisted recombination of surface oxidized nanocrystalline silicon dots K. Arai,
J. Omachi and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics; (2002)
A narrow-channel few-electron-memory with nanocrystalline Si dots as floating gate:Evidencee of electron trapping and emission S. Banerjee,
S. Y. Huang and
S. Oda		 IEEE Transactions on Nanotechnology(2002)
Observation of the Quasi-Direct　Recombination　in Nanocrystalline Silicon Dots by Reducing the Core Diameter K. Arai,
J. Omachi and
S. Oda		 Electrochemical Society;
PV 2002-9,109-122 (2002)
Single Electron and Ballistic Transport in Silicon Nano Devices4 S. Oda Electrochemical Society (2002)
C-V and G-V measurements showing single electron trapping in nanocrystalline silicon dot embedded in MOS memory structure S. Y. Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
686A8.8.1-8.6(2002)
Nanocrystalline silicon electron emitter with a high efficiency enhanced by a planarization technique K. Nishiguchi,
X. Zhao and
S. Oda		 Journal of Applied Physics;
92(5)2748-27572002)
Ballistic transport in silicon vertical transistors K. Nishiguchi and
S. Oda		 Journal of Applied Physics;
92(3)1399-1405(2002)
Evidence of storing and erasing of electrons in nanocrystalline-Si based memory device at 77K S. Banerjee,
S. Y. Huang,
T. Yamanaka and
S. Oda		 Journal of Vacuum Science and Technology;
B20(3)1135-1138(2002)
Observation of single electron trapping, storing and emission by C-V and G-V measurement S. Y. Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
686(2002)
Temperature and frequency dependencies of charging and discharging properties in MOS memory based on nanocrystalline silicon dot S. Y. Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
715A12.5.1-5.6(2002)

　

　　　International Conferences

NeoSilicon: Silicon quantum dots with controlled interparticle distance S. Oda International Workshop on Quantum Dots for Quantum Computing;
Kouchi, paper 7(January 2002)
　 Temperature and frequency dependencies of charging and discharging properties in MOS memory based on nanocrystalline silicon dot S. Y. Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
San Francisco, A12.5(April 2002)
Manifestation of the Quasi-Direct Recombination in Nanocrystalline Silicon Dots by Reducing the Core Diameter K. Arai,
J. Omachi and
S. Oda		 Electrochemical Society;
Philadelphia,PV 2002-9(May 2002)
NeoSilicon material and silicon nanodevices(invited) S. Oda E-MRS Spring Meeting;
Strasbourg,S-III.1(June 2002)
Operation of a narrow channel memory device with a few Si quantum dots in the active region S. Banerjee,
S. Y. Huang and
S. Oda		 E-MRS Spring Meeting;
Strasbourg,S/PII.03(June 2002)
Evidence of Electron Trapping and Emission in Nanocrystalline-Si Based Memory Devices S. Banerjee,
S. Y. Huang and
S. Oda		 Silicon Nanoelectrinics Workshop;
Honolulu,9-6(June 2002)
Photoluminescence of Surface Nitrided Nanocrystalline Silicon Dots K. Arai and
S. Oda		 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots;
Tokyo,K-29(September 2002)
Single Electron and Ballistic Transport in Silicon Devices(invited) S. Oda ECS International Semiconductor Technology Conference;
Tokyo,Abs#44(September 2002)
Atomic layer-by-layer MOCVD of high-k dielectric thin films with in-situ monitoring by spectroscopic ellipsometry Y. Tsuchiya,
M. Endo,
M. Kurosawa,
R.T. Tung,
T. Hattori and
S. Oda		 Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts;
Nagoya,P4-3(September 2002)
Observation of Quantum Confinement Effect in Nanocrystalline Silicon Dot Floating Gate Single Electron Memory Devices S. Y. Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 MRS Fall Meeting;
Boston, F11.3(December 2002)
High efficiency electron/photon emission from silicon quantum dots(invited) S. Oda 5th Sweden-Japan QNANO Workshop; Yokohama (December 2002)

　　

　　　Domestic Conferences

Electron storing and emission in nanocrystalline Si-based memory device at 77K S. Banerjee,
S. Y. Huang and
S. Oda		 第49回応用物理学関係連合講演会；
平塚 28p-K-6,(March 2002)
　 Investigation of frequency and temperature dependence of C-V and G-V characteristics in SiO2/nc-Si/SiO2sandwich structure S. Y. Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 第49回応用物理学関係連合講演会；
平塚 28p-K-4,(March 2002)
　 分光エリプソメトリによる高誘電率ゲート酸化膜成長のその場観察(2) 遠藤真人、
黒澤正敏、
H. Sauddin､
平野貴裕、
服部健雄、
土屋良重、
小田俊理		 第49回応用物理学関係連合講演会；
平塚 30p-A-3,(March 2002)
　 MOCVD法によるPr酸化物の作製と評価 黒澤正敏、
平野貴裕、
遠藤真人、
H. Sauddin、
土屋良重、
服部健雄、
小田俊理		 第49回応用物理学関係連合講演会；
平塚 30p-A-5,(March 2002)
表面酸化シリコン量子ドットのPL特性の粒径依存性 新井健太、
小田俊理		 第49回応用物理学関係連合講演会；
平塚 29a-YG-3,(March 2002)
ナノクリスタルシリコン平面型ホットエレクトロン放出素子の特性向上 西口克彦、
趙新為、
小田俊理		 第49回応用物理学関係連合講演会；
平塚 28a-K-8,(March 2002)
ナノシリコン量子ドットの作製とデバイス特性(invited) 小田俊理 日本セラミックス協会講演会;
つくば(August 2002)
Analysis of electron spacing in nanocrystalline silicon dots by C-V and G-V method S. Y. Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 第63回応用物理学会学術講演会;
新潟 25a-F-2(September 2002)
分光エリプソエメトリによるHfO2による薄膜の原子層MOCVD成長その場観察 遠藤真人、
黒澤正敏、
土屋良重、
服部健雄、
R.T.Tung、
小田俊理		 第63回応用物理学会学術講演会;
新潟 25a-C-2(September 2002)
セルフアライン金属・半導体ダブルドット単電子素子の作製と評価 小澤治、
高居康介、
星出祐亮、
土屋良重、
小田俊理		 第63回応用物理学会学術講演会;
新潟 25a-F-2(September 2002)
表面酸化シリコン量子ドットのＰＬ特性の窒化による変化 新井健太、
森智彦、
小田俊理		 第63回応用物理学会学術講演会;
新潟 25a-ZD-3September 2002)



　　　Books

MOCVD for Thin Film Growth S.Oda Vortex Electronics and SQUIDs, Springer-Verlag(2002)
MOCVD：酸化物超伝導体 小田俊理 応用物理ハンドブック（丸善）(2002)
ナノ構造の作製とその物性：ゼロ次元ナノ構造：超微粒子 小田俊理 ナノテクノロジーハンドブックI編「創る」（オーム社）(2002)


　　　Others

　 Observation of Electron Trapping, Storage and Emission in Nanocrystalline Si Dots by C-V and G-V Measurements S. Y.Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 FEMD Newsletter;
3(4)6-7(2002)
　 TEM and PL Studies of Self-Limiting Oxidation of Nanocrystalline Si Dots K. Arai,
J. Omachi and
S. Oda		 FEMD-CREST News Letter(2002)


2001

　　　　Journal Papers

Atomic Layer-by-Layer MOCVD of Complex Metal Oxides and Related Growth Technologies S. Yamamoto and
S. Oda		 Chemical Vapor Deposition;
7(1)7-18(2001)
A self-aligned two-gate single-electron transistor derived from 0.12μm lithography K. Nishiguchi and
S. Oda		 Applied Physics Letters;
78(14)2070-2072(2001)
　 Charge Storage Mechanism in Nano-Crystalline Si Based Single Electron Memories B. J. Hinds,
T. Yamanaka and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
638F2.2 1-6(2001)
　 Retardation in the oxidation rate of nanocrystalline silicon quantum dots J. Omachi,
R. Nakamura,
K. Nishiguchi and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
638F5.3 1-6(2001)
　 Fabrication and characterization of cold electron emitter based on nanocrystalline silicon quantum dots K. Nishiguchi,
X. Zhao and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
638F5.9 1-5(2001)
Photoluminescence study of the self-limiting oxidation in nanocrystalline silicon quantum dots K. Arai,
J. Omachi,
K. Nishiguchi and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
664A20.6 1-6(2001)
　 ２１世紀の単電子デバイス 小田俊理 電気学会論文誌Ｃ;
121-C 19-22(1)(2001)
　 Fabrication and characterization of nanocrystalline silicon electron emitter K. Nishiguchi,
X. Zhao and
S. Oda		 Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors (Springer);1749-1750
　 Ballistic transport under magnetic field in silicon vertical transistors K. Nishiguchi and
S. Oda		 Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors (Springer);1037-1038
　 Nanocrystalline silicon quantum dots prepared by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition S. Oda and
K. Nishiguchi		 Journal de Physique IV;
Vol. 11(Pr.3)1065-1071(2001)
　 Emission Lifetime of Polarizable Charge Stored in Nano-Crystalline Si Based Single Electron Memory B. J. Hinds,
T. Yamanaka and
S. Oda		 Journal of Applied Physics;
90(12)6402-6408(2001)

　　

　　　International Conferences

　　　　 Photoluminescence study of the self-limiting oxidation in nanocrystalline silicon quantum dots K. Arai,
J. Omachi,
K. Nishiguchi and
S. Oda		 MRS Spring Meeting;
SanFrancisco, (April 2001)
　　　　　　　　 Single electron and ballistic transport in silicon nanostructures (invited) S. Oda Sweden-Japanese Workshop on Quantum Nanostructure Devices;
Stockholm, (June 2001)
　 In situ ellipsometry of undoped and Ga-doped YBa2Cu3O7-d films by MOCVD S. Oda,
S. Sugai and
Y. Matsukawa		 International Superconductivity Electronics Conference;
Osaka TM-7, (June 2001)
　 Ballistic transport under magnetic field in a silicon vertical structure device K. Nishiguchi and
S. Oda		 Silicon Nanoelectrinics Workshop;
Kyoto, (June 2001)
Enhancement of Electron Emission Characteristics from Nanocrystalline Silicon by Planarization Technique K. Nishiguchi,
X. Zhao and
S. Oda		 Device Research Conference；
Notre Dame VI-B-6(June 2001)
NeoSilicon materials (invited) S. Oda Ninth Hitachi-Cambridge Seminar;
Cambridge, (July 2001)
Nanocrystalline silicon quantum dots prepared by VHF plasma enhanced chemical vapor deposition(invited) S. Oda EUROCVD-13;
Athens, (August 2001)
　 Single electron and ballistic transport in silicon nanoscale devices (invited) S. Oda FSRC Science and Technology of Silicon MAterials;
La Jolla, (August 2001)
Fabrication and device application of silicon nanostructures(invited) S. Oda AIST International Symposium on Nanotechnology;
Tokyo,(November 2001)
C-V and G-V measurements showing single electron trapping in nanocrystalline silicon dot embedded in MOS memory structure S. Y. Huang,
S. Banerjee and
S. Oda		 MRS Fall Meeting;
Boston,(November 2001)
Nanocrystalline silicon quantum dots: fabrication, characterization and application(invited) S. Oda Yamada Conference LVII on "Atomic-scale surface designing for functional low-dimensional materials";
Tsukuba,(November 2001)



　　　Domestic Conferences

　 シリコンナノデバイスとネオシリコン (invited) 小田俊理 シリコンテクノロジー分科会第27回研究集会; 東京, (March 2001)
　 Quantum Confinement Polarization Model for Lifwtime of Discrete Charge Stored in Single Nano-crystalline Si Dot Floating-Gate Memory B. J. Hinds,
T.Yamanaka
S.Huang,
R.Nakamura,
S.Oda		 第48回応用物理学関係連合講演会;
東京 28p-ZN-6, (March 2001)
　 原子レベルで制御する高誘電率ゲート酸化膜のＭＯＣＶＤ成長と分光エリプソメトリ観察 松川康成、
黒澤正敏、
伊藤誠吾､
服部健雄、
小田俊理		 第48回応用物理学関係連合講演会;
東京 31a-YF-9, (March 2001)
　 ナノクリスタルシリコン平面型電子放出素子の最適化 西口克彦、
趙新為、
小田俊理		 第48回応用物理学関係連合講演会;
東京 31p-ZA-3, (March 2001)
　 Ｓｉ量子ドットのストレス誘起酸化抑制（Ｉ）:ＴＥＭ観察 大町純一､
西口克彦、
新井健太､
小田俊理		 第48回応用物理学関係連合講演会;
東京 28p-ZN-15, (March 2001)
Ｓｉ量子ドットのストレス誘起酸化抑制（ＩＩ）：ＰＬ評価 新井健太､
大町純一､
西口克彦､
小田俊理		 第48回応用物理学関係連合講演会;
東京 28p-ZN-16, (March 2001)


　　　Books

Electron transport in silicon nanodevices S. Oda APPC 2000, Eds by Y. D. Yao et al (World Scientific, Singapore, 2001)
67-72
Ballistic transport under magnetic field in silicon vertical transistors K. Nishiguchi and
S. Oda		 Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors,Eds by N. Miura and T. Ando
(Springer, Berlin, 2001)
1037-1038
Fabrication and characterization of nanocrystalline silicon electron emitter K. Nishiguchi,
X. Zhao and
S. Oda		 Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Eds by N. Miura and T. Ando
(Springer, Berlin, 2001)
1749-1750


　　　Others

　　 結晶成長モニターによるMOCVD薄膜形成技術の精密制御 S.Oda,
Y.Matsukawa,
K.Shimosato,
M.Kurosawa and
S.Ito		 12年度特定領域研究「ボルテックス・エレクトロニクス」研究会;
東京,(Jan.2001)


2000


　　　Journal Papers

Conductance quantization in nanoscale vertical-structure silicon field-effect transistors with a wrap gate K. Nishiguchi and
S. Oda		 Applied Physics Letters;
76(20) 2922-2924 (2000)
　 ULSI技術は電気化学の時代　(invited) 小田俊理 Electrochemistry;
68(10)763 (2000)
HTML
 21世紀への道　電子材料-ナノシリコンとネオシリコン　(invited) 小田俊理 Electrochemistry;
68(12) 294-296 (2000)
　 An era of reform for the New Century S. Oda FED Journal;
11 3 (2000)
Single Electron Memory Devices Based on Plasma  Derived Silicon Nanocrystals A. Dutta,
Y. Hayafune and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
39(8B) L855-L857 (2000)
Room temperature single-electron narrow channel memory with silicon nanodots embedded in SiO2 matrix F. Yun,
B. J. Hinds,
S. Hatatani and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
39(8A) L792-L795  (2000)
Stabilization of Oxygen Diffusion in Ga-doped YBa2Cu3O7-σ Thin Films Observed by Spectroscopic Ellipsometry S.Sugai,
Y.Matsukawa, K.Shimosato and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
39 (10B) L1032-L1034(2000)
Electron Transport in Nanocrystalline-Si Based single Electron Transistors A. Dutta,
S. Oda,
Y. Fu and
M. Willander		 Japanese Journal of Applied Physics;
39(7B) 4647-4650 (2000)
Two-Gate Transistor for the Study of Si/SiO2 Interface in SOI Nano-Channel and Nanocrystalline Si memory Device B. J. Hinds,
K. Nishiguchi,
A. Dutta,
T. Yamanaka,
S. Hatatani and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
39(7B) 4637-4641 (2000)
Structure analysis of SrTiO3/BaTiO3 strained superlattice films prepared by atomic-layer metalorganic chemical vapor deposition Z. Wang,
S. Oda,
M. Karlsteen,
U. Sodervall and
M. Willander		 Japanese Journal of Applied Physics;
39(7A) 4164-4167 (2000)
Single Electron Tunneling Devices Based on Silicon Quantum Dots Fabricated by Plasma Process ; A. Dutta,
S. P. Lee,
Y. Hayafune,
S. Hatatani and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
39(1) 264-267(2000)
Electron transport in a single silicon quantum structure using a vertical silicon probe K. Nishiguchi and
S. Oda		 Journal of Applied Physics;
88(7) 4186-4190 (2000)
Electrical properties of SrTiO3/BaTiO3 strained superlattice films prepared by atomic-layer metalorganic chemical vapor deposition Z. Wang and
S. Oda		 Journal of Electrochemical Society;
147 (12) 4615-4617 (2000)
Electron-Beam Direct-Writing using RD2000N for Fabrication of Nano-Devices A. Dutta,
S. P. Lee,
Y. Hayafune and
S. Oda		 Journal of Vacuum Science and Technology;
18(6) 2857-2861 (2000)
　 Preparation of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots by Pulsed Plasma Processes with High Deposition Rates K. Nishiguchi,
S. Hara,
T. Amano,
S. Hatatani and
S. Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
571 43-48(2000)
Carrier conduction in Si-nanocrystal-based single electron transistor-I.. Effect of a gate bias Y. Fu,
M. Willander,
A. Dutta and
S. Oda		 Superlattices and Microstructures;
28 (3) 177-187 (2000)
Carrier conduction in Si-nanocrystal-based single electron transistor-I.I. Effect of a drain bias Y. Fu,
M. Willander,
A. Dutta and
S. Oda		 Superlattices and Microstructures;
28 (3) 189-198 (2000)
Study of Structural and Optical Properties of Nanocrystalline Silicon Embedded in SiO2 F. Yun,
B. J. Hinds,
S. Hatatani,
S. Oda,
Q. X. Zhao and
M. Willander		 Thin Solid Films;
375(1-2) 137-141 (2000)


　　　International Conferences

Single electron memory utilizing nano-crystalline Si over short channel silicon-on-insulator transistors B. J. Hinds,
A. Dutta,
F. Yun,
T. Yamanaka,
S. Hatatani and
S. Oda		 Device Research Conference
151-152;
Denver VII.A.-1, (June 2000)
Electron transport in a single silicon quantum dot structure using a vertical silicon probe K. Nishiguchi and
S. Oda		 Device Research Conference
79-80;
Denver III.-17, (June 2000)
　 Si Quantum Dot Devices and NeoSilicon　(invited) S. Oda JRCAT Workshop "Impact of Nanotechnology on Si Technology";
Tsukuba, (June 2000)
Lifetime measurements of electrons stored nano-crystalline Si single electron memory devices B. J. Hinds,
A. Dutta,
T. Yamanaka,
S. Hatatani and
S. Oda		 Silicon Nanoelectrics Workshop 75-76;
Honolulu 6-5, (June 2000 )
Ballistic transport in a silicon vertical transistor K. Nishiguchi and
S. Oda		 Silicon Nanoelectrics Workshop 32-33;
Honolulu 3-2, (June 2000)
　 Single-Electron Transistors with Two Self-Aligned Gates K.Nishiguchi and
S. Oda		 Solid State Devices and Materials Conference Extended Abstracts 116-117;
Sendai D-2-3, (August 2000)
Electron Transport in Silicon Nanodevices　(invited) S.Oda The 8th Asia Pacific Physics Conference 49-50;
Taipei BA-9, (August 2000)
Fabrication and characterization of nanocrystalline silicon electron emitter K.Nishiguchi,
X. Zhao and
S.Oda		 International Conference on Physics of Semiconductors 280;
Osaka D268, (September 2000)
Ballistic transport under magnetic field in silicon vertical transistors K.Nishiguchi and
S.Oda		 International Conference on Physics of Semiconductors 512;
Osaka H512, (September 2000)
Nano-Crystalline Si as Floating Gate Node for Single Electron Memory Devices B. J. Hinds,
A.Dutta,
T.Yamanaka,
S.Hatatani and
S.Oda		 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structres 114;
Sapporo Tu2-2, (September 2000)
　　 Single Electron Tunneling and Ballistic Transport in Silicon Nanodevices S.Oda,
A.Dutta,
K.Nishiguchi,
B.J.Hinds,
X. Zhao and
S.Hatatani		 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structres 8;
Sapporo Mo2-4, (September 2000)
　　 Ballistic transport in silicon vertical transistors(invited)　 K.Nishiguchi and
S.Oda		 4th International Workshop on Quantum Functional Devices;
Kanazawa, (November2000)
　　 Silicon Nanodevices and Neosilicon S.Oda 10th Seoul International Symposium on the Physics of Semiconductor and Applications-2000 60;
Cheju B3, (November 2000)
Charge Storage Mechanism in Nano-crystalline Si based Single-electron Memories B.J.Hinds,
T.Yamanaka,
S.Hatatani and
S.Oda		 Materials Research Society 110;
Boston F2.2, (November 2000)
　　　 Retardation in the Oxidation rate of Nanocrystalline Silicon Quantum  Dots J.Omachi,
R.Nakamura, K.Nishiguchi and
S.Oda		 Materials Research Society  112;
Boston F5.3, (November 2000)
Fabrication and Characterization of Cold Electron Emitter based on Nanocrystalline Silicon Quantum Dots K.Nishiguchi,
X.Zhao and
S.Oda		 Materials Research Society 113;
Boston F5.9, (November 2000)




　　　Domestic Conferences

　 シリコンナノデバイスとネオシリコン (invited) 小田俊理 異分野研究者交流フォーラム 69 ; 大仁 (March 2000)
シリコン縦型トランジスタによるバリスティック伝導の観測 西口克彦、
小田俊理		 第47回応用物理学関係連合講演会 975 ;
東京 29p-C-6(March 2000)
Single electron memory from nano-crystalline Si dots fromed by the disproportiation reaction of silicon suboxide Y. Feng,
B. J. Hinds,
A. Dutta,
S. Hatatani and
S. Oda		 第47回応用物理学関連連合講演会　976;
東京　29-p-C-10 (March 2000)
Lifetime Analysis of Single Electron Memory from Nano-crystalline Si Dots Floating-Gate over Nano-Scale Channel Transistor B.J.Hinds,
T.Yamanaka,
S.Hatatani, and
S.Oda		 第61回応用物理学会学術講演会 840;
札幌 4p-R-7(September 2000)
　 シリコン量子ドットを用いた短チャネルスイッチング素子の提案 吉田征一郎、
西口克彦、
小田俊理		 第61回応用物理学会学術講演会 659;
札幌 6p-ZB-6 (September 2000)
　 ナノ結晶シリコンを用いたナノチャネル単電子メモリの作製 山中崇行、
B.J.ハインズ、
畑谷成郎、
小田俊理		 第61回応用物理学会学術講演会 839;
札幌 4a-R-7 (September 2000)
　 分光エリプソメトリによるMOCVD成長YBCO薄膜のその場観察(III 松川康成、
下里圭司、
服部健雄、
小田俊理		 第61回応用物理学会学術講演会 190;
札幌4a-ZK-15 (September 2000)
セルフアライン・ダブルゲート単電子トランジスタの作製 西口克彦、
小田俊理		 第61回応用物理学会学術講演会 837;
札幌 4a-R-7(September 2000)
ナノクリスタルシリコンを用いた平面型電子放出素子の作製 西口克彦、
趙新為、
小田俊理		 第61回応用物理学会学術講演会 659;
札幌 6p-ZB-6 (September 2000)

　
　　　Others

　　 結晶成長モニターによるMOCVD薄膜形成技術の精密制御 S.Oda,
S.Sugai,
Y.Matsukawa and
K.Shimosato		 11年度特定領域研究「ボルテックス・エレクトロニクス」研究会;
東京,(Jan.2000)


1999

　　　Journal Papers

Silicon Based Single Electron Memory Using Multi-Tunnel Junction Fabricated by Electorn Beam Direct Writing A. Dutta,
S. P. Lee,
S. Hatatani and
S. Oda		 Applied Physics Letters
75 (10) L1422-L1424 (1999)
In situ growth monitoring during metalorganic chemical vapor deposition of YBa2Cu3Ox thinfilms by spectroscopic ellipsometry S.Yamamoto,
S. Sugai,
Y. Matsukawa,
A. Sengoku,
H. Tobisaka,
T. Hattori and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics
38(6A/B) L632-L634(1999)
Reproducible Growth of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Derived YBa2Cu3Ox Thinfilms Using Ultrasonic Gas Concentration Analyzer S. Yamamoto,
K. Nagata,
S. Sugai,
A. Sengoku,
Y. Matsukawa,
T. Hattori and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
38(8) L4727-L4732 (1999)
Enhanced Dielectric Properties in SrTiO3/BaTiO3 Strained Superlattice Structures Prepared by Atomic-Layer Metalorganic Chemical Vapor Deposition Z. Wang,
T. Yasuda,
S. Hatatani and
S. Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
38 (12A) L6817-L6820 (1999)
　 In situ process monitoring of MOCVD of superconducting and dielectric oxide thinfilms S.Yamamoto,
S.Sugai and
S.Oda		 Journal de Physique IV; 
9,Pr8-1013-1(1999)
　 Nanostructured materials and devices for sensor and electronic applications　(invited) D.F.Moore,
W.I.Milne and
S.Oda		 Power Engineering Journal;
13; 89-93; (1999)



　　　International Conferences

　 Atomic-layer MOCVD of SrTiO3/BaTiO3 superlattice structures for high-εdielectrics Z.Wang,
T.Yasuda,
S.Hatatani and
S.Oda		 International Symposium on Future of Intellectual Integrated Electronics ; 163-167;
Sendai; (1999)
Preparation of nanocrystalline silicon quantum dots by pulsed plasma processed with high deposition rates K.Nishiguchi,
S.Hara,
T.Amano,
S.Hatatani and
S.Oda		 Materials Research Society 99 Spring meeting;
San Francisco; (1999)
　 Study of optical properties related to the passivation of nanocrystalline silicon and SiO2 interfacial defect states F.Yun,
B.J.Hinds,
S.Hatatani,
S.Oda,
Q.X.Zhao and
M.Willander		 IUMRS-ICAM'99 Symposium F: Thin Films and Multilayers;
Beijing; (1999)
　 Fabrication and characterization of silicon quantum-dot memory by ultrafine silicon particles embedded in SiO2 F.Yun,
A.Dutta,
B.J.Hinds,
K.Nishiguchi, S.Hatatani,
S.Oda and
M.Willander		 IUMRS-ICAM'99 Symposium M: Si-based Materials and Devices;
Beijing; (1999)
　 Single electron transistor using silicon quantum dots embedded in SiO2 matrix F.Yun,
K.Nishiguchi,
A.Dutta,
B.J.Hinds,
S.Hatatani,
S.Oda and
M.Willander		 IUMRS-ICAM'99 Symposium O: Low Dimensional Structures and Quantum Devices;
Beijing; (1999)
　 Observation of Quantum Effects and Coulomb Blockade in Nanodevices wieh Plasma Derived Silicon Nanocrystals A.Dutta,
S.P.Lee,
Y.Hayafune,
S.Hatatani,
S.Oda and
M.Willander		 Silicon Nanoelectronics Workshop;
Kyoto; (1999)
　 Electronic band structures in Si nanocrystals with applications to dot-based MOSFETs Y.Fu,
M.Willander,
F.Yun and
S.Oda		 Silicon Nanoelectronics Workshop;
Kyoto; (1999)
　 Electrical characterization of Si-based single electron memory cell with multiple tunnel junctions A.Dutta,
S.P.Lee and
S.Oda		 9th Int. Conf. Modulated Semiconductor Structures;
Fukuoka; (1999)
　 In-situ process monitoring of MOCVD of superconducting and dielectric oxide thinfilms S.Oda,
S.Yamamoto and
S.Sugai		 Euro CVD 12;
Barcelona; (1999)
　　 Electrical properties of SrTiO3/BaTiO3 strained superlattices formed by atomic-layer MOCVD Z.Wang,
T.Yasuda,
S.Hatatani and
S.Oda		 Electrochemical Society;
Honolulu;(1999)


　　　Domestic Conferences


　　 Fabrication of Single Electron Tunneling Devices using Silicon Quantum Dots A.Dutta,
S.P.Lee,
Y.Hayafune,
S.Hatatani and
S.Oda		 第46回応用物理学関係連合講演会; 544;
野田; (1999)
　 ナノ結晶Siフローティングゲートを有する単電子メモリの作製と特性評価 早舩嘉典、
A.Dutta,
S.P.Lee,
畑谷成郎、
小田俊理		 第46回応用物理学関係連合講演会；550;
野田; (1999)
　 Electrical Characterisation of Si-based Single Electron Memory Cell with Multiple Tunnel Junctions S.P.Lee,
A.Dutta,
Y.Hayafune,
S.Hatatani and
S.Oda		 第46回応用物理学関係連合講演会; 551;
野田; (1999)
　 SrTiO3/BaTiO3超格子薄膜の結晶性評価およびTEM観察 王在陽、
安田智彦、
畑谷成郎、
小田俊理		 第46回応用物理学関係連合講演会；559；
野田; (1999)
　 分光エリプソメトリによるMOCVD成長YBCO薄膜のその場観察（・） 松川康成、
須貝聡、
仙石暁生、
山本修一郎、
服部武雄、
小田俊理		 第46回応用物理学関係連合講演会；267；
野田; (1999)



　　　Books

　　　 ATOMIC LAYER MOCVD OF OXIDE SUPERCONDUCTORS AND DIELECTRICS S. Oda,
S. Yamamoto,
Z. Wang,
H. Tobisaka and
K. Nagata		 High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials, NATO ASI Series 3 vol. 62 (eds. by G. Van Tendeloo, E.V. Antipov and S.N. Putilin, Kluwer Academic, Dordorecht); 75-78; (1999)


 
 

　
　　　Others

　　 Realtime process monitoring inMOCVD of oxide superconducting films S.Oda,
S.Yamamoto,
S.Sugai,
Y.Matsukawa and
A.Sengoku		 10年度特定領域研究「ボルテックス・エレクトロニクス」第2回全体会議;
東京; (1999)
　　　　 プラズマCVDシリコン量子ドットの粒径制御と単電子輸送特性 S.Oda,
A.Dutta,
S.Hara,
Y.Hayafune,
S.P.Lee,
K.Nishiguchi,
B.J.Hinds and
S.Hatatani		 平成10年度特定領域研究報告会；
東京; (1999)



1998


　　　Journal Papers


Observation of Single Electron Charging Effect in Nanocrystalline Silicon at Room Temperature Using Atomic Force Microscopy M.Otobe,
H.Yajima and
S.Oda		 Applied Physics Letters;
72; 1089-1091 (1998)
Electric Properties of Coplanar High-Tc Superconducting Field Effect Devices S.Suzuki,
H.Tobisaka and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
37(2); 492-495; (1998)
Atomic Layer-by-Layer Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of SrTiO3 Films with a Very smooth Surface Z.Wang and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
37(3A); 942-947; (1998)
Electric Field-effect Enhancement by a Combination of Coplanar High-Tc Superconducting Devices with Step Edhe Junctions S.Suzuki,
S.Sugai and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
37(7A); L784-L786; (1998)
　　

　　　International Conferences

　　　 Fabrication of Nanodevices Using Silicon Quantum Dots A. Dutta,
Y. Hayafune,
S.P. Lee,
S. Hara,
K. Nishiguchi and
S. Oda		 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structres;
Sapporo; (1998)
　　　 ATOMIC LAYER MOCVD OF OXIDE SUPERCONDUCTORS AND DILECTRICS　(invited) S.Oda,
S.Yamamoto,
Z.Wang,
H.Tobisaka and
K.Nagata		 NATO Workshop MSU-HTSC V;
Moscow; (1998)
　　　 Single electron tunneling in nanocrystalline silicon prepared by plasma processes　(invited) S.Oda S; Sweden-Japanese Workshop;
June; (1998)
　　　　 Preparation of silicon nanostructures by plasma CVD and EB processes (invited) S.Oda FED-PDI Joint Conference on 21st Century Electron Devices;
June; (1998)
　　　 Single electron devices based on nanocrystalline silicon (invited) S.Oda and
A.Dutta		 International Workshop on Advanced LSIs-Scaled Device/Process and High Performance Circuits-;
July; (1998) 　
　　 Nonvolatile Single Electron Memory Devices Using Multitunnel Junctions Fabricated by Direct Dlectron Beam Lithography A. Dutta,
S. P. Lee,
S. Hatatani and
S. oda		 (1998)
　　　 Single-Electron Tunneling in Nanocrystalline Silicon (invited)
 		 S.Oda,
A.Dutta,
S-P.Lee,
Y.Hayafune, K.Nishiguchi,
B.J.Hinds and S.Hatatani		 Solid State Devices and Materials Conference, Extended Abstracts;
September; (1998)




　　　Domestic Conferences

　　 VHF帯容量結合プラズマの特色と課題　(invited) 小田俊理 第45回応用物理学関係連合講演会；
八王子； (1998)
　　 シリコン量子ドット単一電子デバイス　　(invited) 小田俊理、
A.Dutta		 電気化学会第65回大会；
東京；(1998)
　　　 分光エリプソメトリ−によるYBCO薄膜のその場MOCVD成長観察 松川康成、
鳶坂浩志、
須貝聡、
山本修一郎、
服部健雄、
小田俊理		 第59回応用物理学会学術講演会；
広島； (September 1998)
　　 MOCVD法によるYBCO薄膜堆積時の原料ガス濃度モニターと制御 須貝聡、
仙石暁生、
山本修一郎、
服部健雄、
小田俊理		 第59回応用物理学会学術講演会；
広島； (September 1998)
　　 ナノクリスタルシリコンの粒径制御と堆積速度の向上 原聡二、
西口克彦、
畑谷成郎、
小田俊理		 第59回応用物理学会学術講演会；
広島； (September 1998)
　　 原子層MOCVD法によるBaTiO3/超格子薄膜の作製 王在陽、
安田智彦、
畑谷成郎、
小田俊理		 第59回応用物理学会学術講演会；
広島；September；(1998)
　　 微結晶Si量子ドットフローティングゲートを有する単一電子メモリの作製 早船義典、
A. Dutta、
S. P. Lee、
西口克彦、
畑谷成郎、
小田俊理		 第59回応用物理学会学術講演会；
広島；(September 1998)
　　 Fabrication of Single Electron Tunneling Devises using Silicon Quantum Duts A. Dutta,
S. P. Lee,
Y. Hayafune,
K. Nishiguthi,
S. Hatatani and
S. Oda		 第59回応用物理学会学術講演会;
広島; (September 1998)
　　　 Non-volatile Single Electron Memory Cell with Multiple Tunnel Junctions S. P. Lee,
A. Dutta,
Y. Hayafune,
. Nishiguchi,
T. Amano,
S. Hatatani and
S. Oda		 第59回応用物理学会学術講演会;　
広島; (September 1998)


　　　Books

　 ATOMIC LAYER MOCVD OF OXIDE SUPERCONDUCTORS AND DIELECTRICS　(invited) S. Oda,
S. Yamamoto,
Z. Wang,
H. Tobisaka and
K. Nagata		 NATO ASI Series; (1998)



　　　Others

　 シリコン量子ドットの表面制御と単電子トンネル特性評価 小田俊理 平成9年度重点領域研究報告会；
東京；(1998)
　 原子層ＭＯＣＶＤ法による高誘電体超格子薄膜の作製 小田俊理、
王在陽		 重点領域研究「知能集積エレクトロニクス」９年度シンポジウム；
東京；(1998)
　 Preparation of high-quality thinfilms for vortex devices by atomic layer MOCVD S.Oda,
S.Yamamoto and
S.Sugai		 10年度特定領域研究「ボルテックス・エレクトロニクス」第1回全体会議 ；
須磨 (1998)
　 Atomically Controlled Interface of Superconductor Hybrid System S.Yamamoto,
S.Sugai,
S.Suzuki,
A.Kawaguchi and
S.Oda		 Special Session for Superconductive Devices 25-30;
Tokyo (1998)
　 原子層ＭＯＣＶＤ法によるスーパーセラミックス超格子薄膜の作製と評価 小田俊理 NSG Found. Mat. Sci.Eng. Rep；(1998)
　 ケンブリッジ大学の産学協同システムについて 小田俊理 東京工大クロニクル；(1998)
　 21世紀の電子デバイスFED-PDIジョイントコンファレンス 小田俊理 FED Journal; (1998)
　 FED-PDI Joint Conference on 21st Century Electron Devices D.F.Moore,
K.H.Ploog and
S.Oda		 FED Journal;
9; 48-49; (1998)


1997

　　　Journal Papers

Atomic layer-by-layer epitaxy of oxide superconductors by MOCVD S.Yamamoto,
A.Kawaguchi,
K.Nagata,
T.Hatori and
S.ODA		 Applied Surface Science;
112; L30-L37 (1997)
  Junction Formation in YBaCuO Thin Films by Scanning Probe S.Yamamoto,
T.Watanabe and
S.ODA		 J. Low. Temp. Physics;
106; 423-432 (1997)
　　 Preparation of Nanocrystalline Silicon Quantum Dot Structure by Pulsed Plasma Processes S. Oda Adv. Colloid and Interface Sci.;
71-72; 31-47 (1997)
Fabrication of Nanocrystalline Silicon with Small Spread of Particle Size by Pulsed Gas Plasma T.Ifuku,
M.Otobe,
A.Itoh and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
36(6B) L4031-L4034 (1997)
Fabrication and Electrical Characteristics of Single Electron Tunneling Devices Based on Si Quantum Dots Prepared by Plasma Processing A.Dutta,
M.Kimura,
Y.Honda,
M.Otobe,
A.Itoh and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics;
36(6B) L4038-L4041 (1997)
Photoluminescnce Mechanism in Surface-Oxidized Silicon Nanocrystals Y.Kanemitsu,
S.Okamoto,
M.Otobe and
S.Oda		 Phys. Rev. B;
55; R7375-R7378 (1997)
　 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望　(invited) 田部道晴、
小田俊理、
平本俊郎、
中里和郎、
雨宮好仁		 応用物理;
66; 99-108 (1997)
　 Grain-Size Control of Nanocrystalline Silicon by Pulsed Gas Plasma Process A.Itoh,
T.Ifuku,
M.Otobe and
S.Oda		 Materials Research Society Symposium Proceedings;
452; 749-754 (1997)
Anomalous Current-Voltage Characteristics along the c-Axis in YBaCuO Thin Films Prepared by MOCVD and AFM Lithography S. Yamamoto,
A. Kawaguchi and
S. Oda		 Phisica C;
293; 244-248 (1997)
Proposal of coplanar-type high-Tc superconducting field-effect devices S.Suzuki and
S.Oda		 Phisica C;
282-287; 2495-2496 (1997)


　　　International Conferences

　 Proposal of Coplanar-type high-Tc superconducting field-effect devices S.Suzuki and
S.Oda		 M2S-HTSC-V Abstract ;
287 (1997)
　 Anomalous Current-Voltage Characteristics along the c-Axis in YBaCuO Thin Films Prepared by MOCVD and AFM Lithography S. Yamamoto,
A. Kawaguchi and
S. Oda		 Int. Symp. Intrinsic Josephson Effect and THz Plasma Oscillations in High Tc Superconductors (1997)
　 Fabrication of Coplanar-type high-Tc superconducting field-effect devices　(invited) S.Suzuki and
S.Oda		 5th Int. Workshop on High-Temperature Superconducting Electron Devices;
Matsuyama (1997)
　 Fabrication of Silicon Quantum Dots by Pulsed-Gas Plasma Processes and Their Properties　(invited) S. Oda Int. Symp. Nanostructures; Phys. Technol. St. Petersburg ; 281
(1997)
　 Grouth Mechanism of YBCO thinfilms by MOCVD(invited) S. Oda Int. Workshop on Superconductivity ;
Hawaii (1997)
　　 Fabrication and Electrical Properties of Silicon Nanocrystals Amit Dutta,
Y.Kinugasa,
A.Itoh and
S.Oda		 Silicon Nanoelectronics Workshop;
Kyoto; (1997)
　 Single Electron Tunneling in Silicon Quantum Dots Prepared by Plasma Processing　(invited) S. Oda Symp. Solid State Physics;
Kunsan, Korea; July; (1997)
　 Single Electron Devices Based on Silicon Quantum Dots　(invited) S. Oda 20th Electrical Engineering Conference;
Bangkok, Thailand; (November,1997)
　 Fabrication and Characterization of Silicon Quantum Dots　(invited) S. Oda and
A Dutta		 3rd Int. Workshop on Quantum Functional Devices; Gaithersburg, MD,
USA; November; (1997)


　　　Domestic Conferences

　 A Proposal for Measurement of Electrical Characteristics of a Single Silicon Quantum Dot Deposited by Very High Frequency Plasma Process A. Dutta,
S. Kawakami,
Y. Kinugasa,
A. Itoh,
S. Vyshenski and
S.Oda		 第44回応用物理学関係連合講演会 (1997)
　 Proposal of coplanar-type high-Tc superconducting field-effect devices S.Suzuki and
S.Oda		 Phisica C (1997)
　 Fabrication of the coplanar-type superconducting electric field-effect device S.Suzuki,
H.Tobisaka and
S.Oda		 第44回応用物理学関係連合講演会 (1997)
　 Current-voltage characteristics of intrinsic Josephson junction using YBCO thin films A.Kawaguchi,
S.Yamamoto and
S.Oda		 第44回応用物理学関係連合講演会 (1997)
　 Real-time measurement of the concentration pf DPM compounds by concentration measurement system using ultrasonics K.Nagata,
S.Yamamoto,
T.Hattori and
S.Oda		 第44回応用物理学関係連合講演会 (1997)
　 anoscale Electron Beam Lithography Using RD2000N Negative-ion Resist and Fabrication of Silicon Nanodevice Structures A. Dutta,
S. P. Lee,
Y. Hayafune,
K. Nishiguchi and
S. Oda		 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997)
　 原子層ＭＯＣＶＤ法で作製したSrTiO3薄膜のＸ線回折及びＡＦＭによる評価 王在陽、
鈴木武史、
小田俊理		 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997)
　 サイドゲートを有するステップエッジ接合の電界効果 鈴木茂、
須貝聡、
鳶坂浩志、
小田俊理		 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997)
　 ＭＯＣＶＤ法によるYBaCuO薄膜上への極薄絶緑層の作製 山本修一郎、
鳶坂浩志、
須貝聡、
小田俊理		 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997)
　 ナノクリスタルシリコンの粒径・位置制御と電子デバイスへの応用　(invited) 小田俊理 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997)
　 シリコン量子ドットの表面酸化膜制御と単電子輸送　 (invited) アミット・ダッタ、
小田俊理		 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997) 　
　 原子層MOCVD法により作製したYBa2Cu3Ox薄膜の分光エリプソメトリーによる評価 鳶坂浩志、
山本修一郎、
小田俊理		 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997)
　 ナノクリスタルシリコン（nc-Si）の粒径制御 絹笠幸久、
原聡二、
伊福徹、
伊藤明、
小田俊理		 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997)
　 超音波濃度計によるDPM系原料のリアルタイム濃度測定（・） 長田浩二、
山本修一郎、
服部健雄、
小田俊理		 第58回応用物理学会学術講演会;
秋田, October, (1997)
　 高温超伝導平面型電界効果素子　(invited)　 鈴木茂、
小田俊理		 日本学術振興会　超伝導エレクトロニクス第146委員会第60回研究会資料; 23-27
室蘭, July, (1997)


　　　Others

　 原子層ＭＯＣＶＤ法による超低〜超高誘電体多層格子酸化膜の作製 小田俊理、
伊藤明		 平成8年度重点領域研究報告会; 194-197;
March (1997)
　 シリコン量子ドットの表面制御と単電子トンネル特性評価 小田俊理、
伊藤明		 平成8年度重点領域研究報告会; 75-78;
February (1997)
　 ナノスケール電子デバイスＦＥＤケンブリッジジョイントコンファレンス報告 小田俊理 ＦＥＤジャーナル; 7/2; 63-66 (1997)




1996

　　　Journal Papers

　 Preferential Nucleation of Nanocrystalline Silicon along Microsteps M.Otobe,
J.Kawahara and
S.Oda		 Japanese Journal of Applied Physics,
35 [2] 1325-1328 (1996)
　 Nanocrystalline silicon formation in a SiH4 plasma cell M.Otobe,
T.Kanai,
T.Ifuku,
H.Yajima and
S.Oda		 Journal of Non-Crystalline Solids [198-200] 875-878 (1996)
　 Preparation of Thin Films of YBa2Cu30x with a Smooth Surface by Atomic Layer MOCVD S.Yamamoto,
A.Kwaguchi and
S.Oda		 Mat. Sci. Eng. B 87-92 (1996)




　　　International Conferences


　 Coulomb staircase characteristics in silicon quantum dots fabricated by plasma processing S.Oda,
M.Kimura and
M.Otobe		 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu (1996)
　　 Atomic layer-by-layer epitaxy of oxide superconductors by MOCVD　(invited) S.Oda 4th Int. Symp. Atomic Layer Epitaxy; 30-37;
Linz,Austria ; (1996)
　　 Fabrication of Silicon Quantum Dots by Plasma Processing　(invited) S.Oda Cambridge-FED Workshop on Future Nano-scale Electron Devices;
Cambridge, UK ; (1996)
　 Atomic layer-by-layer MOCVD of thinfilms of Oxide superconductors　(invited) S.Oda Int. Workshop on Chemical Designing and Processing of High-Tc Superconductors II;
Yokohama ; (1996) 　
　 unction Formation in YBaCuO Thin Films bu Scanning ProbeＪ S.Oda Weak Superconductivity Symposium; 423-432;
Smolenice, Slovakia; (1996)



　　　Domestic Conferences


　 プラズマプロセスによるシリコン量子ドットの作製と物性評価 小田俊理、
乙部雅則、
木村匡雄、
伊福徹、
矢島弘士、
大西満		 応用電子物性分科会誌、
［2］1, 30-35 （1996)
　 原子層ＭＯＣＶＤ法による超低〜超高誘電体多層超格子酸化膜の作製 小田俊理 平成7年度重点領域研究報告会「極限集積化シリコン知能エレクトロニクス」報告会，　194-199 （1996）
　　 ナノ結晶Si擬1次元SET接合アレイの作製と評価 木村匡雄、
乙部雅則、
小田俊理		 第43回応用物理学関係連合講演会, 26p-ZA-1 (1996)
　 ガスパルス供給プラズマを用いた粒径8nm±1nmの微結晶Siの作製 伊福徹、
部雅則、
小田俊理		 第43回応用物理学関係連合講演会, 26a-TC-1 (1996)
　 AFMによるナノ結晶Siの位置制御 乙部雅則、
大西満、
小田俊理		 第43回応用物理学関係連合講演会,29a-ZX-1 (1996)
　 ナノ結晶Siからの室温クーロン階段の粒径依存性 乙部雅則、
矢島弘士、
小田俊理		 第43回応用物理学関係連合講演会, 26p-ZA-2 (1996)
　 原子層ＭＯＣＶＤ法によるSm3O3/YBa2Cu3Ox積層構造の作製 山本修一郎、
鳶坂浩志、
小田俊理		 第57回応用物理学会学術講演会, 7a-SKA-17(1996)
　 AFMリソグラフィーによる薄膜イントリンシックジョセフソン接合の作製 川口篤史、
山本修一郎、
小田俊理		 第57回応用物理学会学術講演会, 7p-KB-4 (1996)
　 シリコン量子ドットの表面酸化 伊福徹、
伊藤明、
小田俊理		 第57回応用物理学会学術講演会, 9a-B-8 (1996)


1995

　　　Journal Papers

　 'Computer Simulation and Measurement of Capacitance-Voltage Characteristics in Quantum Wire Devices of Trench-Oxide MOS Structure T.Tsukui and
S.Oda		 Jpn. J. Appl. Phys.,
34, pp. 874-877 (1995)
　 'Superconductivity and Surface Morphology of YBCO Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition' S.Oda,
H.Zama and
S.Yamamoto		 IEEE Transactions on Applied Superconductivity,
5, pp.1801-1804 (1995)
　 'Preparation of Nanocrystalline Silicon by Pulsed Plasma Processing' S.Oda and
M.Otobe		 Mat. Res. Soc. Symp. Proc.,
358, pp. 721-731 (1995)
　 'Nanocrystalline Silicon Formed in Very-High-Frequency SiH4 Plasma ' M.Otobe,
T.Kanai,
H.Honji,
M.Kimura and
S.Oda		 Proc. 12th Symp. Plasma Processing, (1995)
　　 'Atomic Layer MOCVD of Thin Films of Oxide Superconductors' S.Yamamoto
A.Kwaguchi and
S.Oda		 1st T.I.T. International Symposium on Oxide Electronics, pp.17-21(1995)
　　 'Farication of Nano-crystalline Si by SiH4 Plasma Cell' M.Otobe,
T.Kanai and
S.Oda		 Mat. Res. Soc. Symp. Proc., (1995)
　 'Atomic Layer MOCVD of YBa2Cu3Ox Films' S.Oda Mat. Res. Soc. Symp.Spring Meeting Abstracts, P. 201 (1995)
　 'Fabrication of Nanocrystalline Silicon Using VHF Plasma Cells of SiH4 and H2 S.Oda and
M.Otobe