南9号館実験室

ナノクリスタルシリコン堆積装置
このPECVD装置により、量子効果デバイスに応用できるほどの微細な単結晶Siドットの作製を行っています
窒化膜ドット堆積装置

窒化膜で覆われた量子ドットの作製を目指して調整中の新しい堆積装置です。窒素ガスのプラズマを立てて基板の窒化には成功しています。
MOCVD装置
現在、高誘電率ゲート絶縁膜用のHfO2膜の作製を行っています。原料ガスの交互供給により原子層レベルでの制御を目指しています。堆積状況は分光エリプソを用いin-situでのモニタも行っています
CVD薄膜堆積装置
EB蒸着器

これまで様々な材料を飛ばしてきましたが現在はSiとPtの蒸着を行っています。水晶振動子が付いているので、ある程度正確な膜厚制御も可能です。
低温測定装置

ターボ分子ポンプで真空引きしてから、低温プローバーをクライオポンプで4Kの極低温で、電気特性の測定が行えます。測定装置はHP4156Aで4つのSMUがあります。
ヘリウムリークディテクター

普段は3階に置いてあり貸し出し可能です。希望者は学生室まで来てください。
AFM